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2017-12-23 发布于河南
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一维fdtd模拟程序 C语言

#include stdio.h#include stdlib.h#include math.h#define NUM_of_ZAXIS 400float gauss_pulse(float T,float t0,float spread);int file_save(float* data,char* filename);void main(){float ex[NUM_of_ZAXIS],hy[NUM_of_ZAXIS];float obj_parameters[NUM_of_ZAXIS][4]; /*模型参数设置 */float CA[NUM_of_ZAXIS],CB[NUM_of_ZAXIS],CP[NUM_of_ZAXIS],CQ[NUM_of_ZAXIS]; float ca,cb,cp,cq; /*真空时的参数*/float var_ca,var_cb,var_cp,var_cq; /* */floatvar_border,ex_low_m1,ex_low_m2,ex_high_m1,ex_high_m2, ex_low_s1,ex_low_s2,ex_high_s1,ex_high_s2; /*边界吸收参数*/float Epsilon,Mu,Pi,C; /*介电系数 Epsilon 0，磁导系数 Mu 0*/float rel_epsz,rel_mu; /*相对介电系数，磁导系数*/float e_sigma,h_sigma; /*电导率，磁导率*/float dt,ddz;float source,T;int pos_driv_source;int i,n,Nsteps;int e_low,e_high;FILE* fp;/*初始化各个变量 */Pi=3.14159;Epsilon=8.85e-12;Mu=4*Pi*1e-7;C=pow( (float)(1/(Epsilon*Mu)),(float)(0.5));ddz=0.01;dt=ddz/(2*C);T=0;// 采用葛德彪书中一维FDTD公式中的参数 e_sigma=0;h_sigma=0;var_ca=0.5*e_sigma*dt/Epsilon;var_cb=dt/Epsilon;var_cp=0.5*h_sigma*dt/Mu;var_cq=dt/Mu;ca=(1-var_ca)/(1+var_ca);cb=var_cb/(1+var_ca);cp=(1-var_cp)/(1+var_cp);cq=var_cq/(1+var_cp);var_border=(C*dt-ddz)/(C*dt+ddz);// 边界处用来存数据的临时变量ex_low_m1=0;ex_low_m2=0;ex_high_m1=0;ex_high_m2=0;ex_low_s1=0;ex_low_s2=0;ex_high_s1=0;ex_high_s2=0;// 上，下边界位置e_low=20;e_high=380;pos_driv_source=200;for(i=0;iNUM_of_ZAXIS;i++){ex=0;hy=0;obj_parameters[0]=1;obj_parameters[1]=1;obj_parameters[2]=0;obj_parameters[3]=0;CA=ca;CB=cb;CP=cp;CQ=cq;}// 开始主循环Nsteps=1;while(Nsteps0){printf(Nsteps--);scanf(%d,Nsteps);for(n=0;nNsteps;n++){T+=1;// 计算 Exfor(i=e_low+1;ie_high;i++){// 采用葛德彪书中的一维FDTD 公式 ex=CA*ex-CB*(hy-hy[i-1])/ddz;}if(T200){ex[pos_driv_source]+=gauss_pulse(T,40,12);}//Mur 边界吸收ex_low_m2=ex_low_m1;ex_low_m1=ex[e_low];ex_low_s2=ex_low_s1;ex_low_s1=ex[e_low+1];ex_high_m2=ex_high_m1;ex_high_m1=ex[e_high];ex_high_s2=ex_high_s1;ex_high_s1=ex[e_high-1];ex[e_low]=ex_low_s2+var_border*(ex[e_low+1]-ex_low_m2); ex[e_high]=ex_high_s2+var_border*(ex[e_high-1]-ex_high_m2);// 行波时延法// ex[e_high]=0.5*(ex_high_m2+ex_high_s2)