稀散元素镓铟铊配合物的研究进展-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 第 12 卷 稀散金属专辑 广 东 有 色 金 属 学 报 Vol 12 ,D M Special 2 0 0 2 年 9 月 JOURNAL OF GUAN GDON G NONFERROUS METAL S Sep. 2 0 0 2 文章编号 : 1003 —7837 (2002) Dissipated Metals Special —0012 —04 稀散元素镓铟铊配合物的研究进展 宋玉林 , 刘兴芝 , 武荣成 , 臧树良 (辽宁大学稀散元素研究所 , 辽宁 沈阳　110036) 摘 　要 : 概述了稀散元素镓 、铟和铊配合物的研究进展和 目前研究动向. 关键词 : 稀散元素 ; 镓 ; 铟 ; 铊 ; 络合物 中图分类号 : TF843. 1 　　　文献标识码 : A ( ) ( ) 在化学元素周期表中 , 由ⅢA 13 和 ⅤA 15 族元素相化合生成的化合物半导体 ,有着特 殊的重要意义 ,如 GaAs , Al GaAs , GaN ,InP 等. 制备这些化合物半导体和将半导体材料制成单 ( ) ( ) 晶薄膜较好的工艺有金属有机蒸气外延 MOVPE 、化学束外延 CBE 和金属有机化学蒸气相 ( ) 沉积 MOCVD . 使用金属有机化合物沉积成半导体材料 ,对 13 族元素 Al , Ga , In 来说 ,用它 们的烷基金属 MR3 (M 为Al , Ga ,In ;R 为 CH - ,C H - ) 能够作为易挥发前体物或母体 ,例如 3 2 5 固体 GaAs 能够用三甲基镓蒸气 ,在 AsH3 存在下 ,用高温加热分解的方法制得[1 ] : ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 　　 CH3 3 Ga g + AsH3 g GaAs s + 3CH4 g 为了获得高质量的半导体材料 ,镓分族的金属有机化学 、有机金属配位化学必然要迅速地发 展 ,合成越来越多的适合沉积化合物半导体的易挥发的金属有机化合物 ,包括改进合成方法 、 ( ( ) ( ) ) 纯化技术及性质和结构表征. 最近 ,有人发现化合物 Me3 CH Ga C H 在室温下于戊烷 2 2 5 5 溶液 中与 HPEt 和 H P ( C H ) 反 应 , 消 除 C H , 分 别 生 成 相 应 的化 合 物 [ ( Me ) C 2 2 6 5 5 6 3 (CH ) GaPEt ] 和 [ Me C ( CH ) GaP (