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毕业论文245GHz低噪声射频功率放大器的设计
目 录
1 引 言 1
1.1 课题研究目的与意义 1
1.2 射频功率放大器概述 1
1.3 射频功率放大器的发展现状 2
1.4 本课题的研究方法及主要工作 3
2 基本理论 5
2.1 史密斯圆图 5
2.2 S参数 6
2.3 长线的阻抗匹配 7
2.3.1 微波源的共轭匹配 7
2.3.2 负载的匹配 8
2.3.3 匹配方法 8
2.4 偏置电路 8
2.5 微带线简介 8
3 功率放大器的基本指标 10
3.1 工作频带 10
3.2 带宽 10
3.3 输出功率 10
3.4 噪声系数 11
3.5 增益 12
3.6 效率 13
3.7 稳定性 14
3.8 线性度 15
3.9 端口驻波比和反射损耗 15
4 射频功率放大器设计仿真及优化 17
4.1 设计指标及设计流程 17
4.2 选取晶体管并仿真晶体管参数 17
4.3 晶体管S参数扫描 19
4.4 放大器的稳定性分析 21
4.5 设计输入匹配网络 23
4.5.1 匹配原理 23
4.5.2 计算输入阻抗 25
4.5.3 单支节匹配电路 25
4.6 设计并优化输入输出匹配网络 27
结 论 32
参考文献 34
致 谢 36
GPS导航设备、汽车防撞雷达,以及到处有售的宽带数字服务入口等。
通信技术在近几年内的发展可以说是日新月异,每年都会有大量的新技术诞生并被应用到实践当中,而在这之中,无线通信技术的迅速成熟尤其引人注目。它不仅仅改变了我们的通信方式,更重要的是改变了我们的生活方式,最显著的表现就是无处不在的手机,它使人与人之间的联系更为密切也更加方便,使我们的社会变得更加的紧密,大大提升了世界的一体化进程,可以说手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分了。而随着使用人群的快速增长与不断壮大,整个无线通信产业也进入了大规模高速率的发展阶段,在国民经济中的比重越来越大,推动着社会经济持续向前跨步,甚至于对整个社会的发展都有着不可估量的影响力。功率放大器作为无线收发系统中的最后一级,它在整个系统中占有十分重要的地位,提高发射信号强度、延长系统使用时间、降低电源消耗、减小系统体积重量等起着关键性作用。射频功率放大器由于尺寸小、线性度高、噪声低等优点,广泛应用在卫 星通信、移动通信、雷达和电子战以及各种工业装备。随着无线通信和军事领域新标准新技术的发展,日益要求提高射频功率放大器的性能,使之在更宽频带内,具有更高的输出功率、效率和可靠性。例如为在有限的频谱范围内容纳更多的通信信道,获得较高的码片速率和频带利用率。现在通信系统均采用了、等线性调制技术,这些调制方法对功放的非线性特性非常敏感,因而对放大器有更高的线性要求,提高功率放大器的可靠传输,以避免对邻近信道的干扰,保证调制的窄带特性。这就要求射频功率放大器具有良好的线性。在第三代移动通信系统中,要求数据传输速率达到,单个信号的带宽达,这就需要射频功率放大器具有宽带特性;为了降低通信运营商的运营成本,减小冷却成本、易于热控制,要求提高的效率;为了减小功率放大的级数,减小功率管的使用,以更低的功率进行驱动,降低成本,这就要求提高的增益;为了增加通信基站的覆盖范围,减小固定区域内所需要设置的基 站以节约成本,同时减小电路的尺寸和重量,这就要求提高的输出功率为了满足以上各种应用需求,近年来人们不断推动射频功率放大器的发展和进步。在这年的发展过程中,射频器件及射频技术的发展是推动射频功 率放大器发展的两大因素。射频器件的发展使射频功率放大器的发展成为可能, 射频技术的发展使射频功率放大器的性能得到提高。、射频器件方面:年等人发明双极晶体管 及年提出结型场效应管以后,硅双极晶体管应用于射频微波领域,从而可以对从几百兆赫到波段的信号进行放大;年代以后,单晶及其外延技术获得突破,肖特基势垒栅场效应晶体管研制成功。由于材料载流子迁移率高、禁带宽度大,从而使射频功率放大器具有高频率、低噪声和大功率等一系列优点。进入年代,由于分子速外延技术和有机金属化学沉积技术的发展,超薄外延层的厚度及杂质浓度得以精确控制,使异质结器件迅速发展,由组成的异质结双极晶体管相继研制成功,采用这些器件设计射频功率放大晶体管,使射频放大器的工作频率达到毫米波频段;到年代,激增了多种新型固态器件,如高电子迁移管,假同晶高电子迁移管,异质结场效应管 和异质结双极管,同时使用了多种新材料如等。这些器件能够对乃至更高频率的信号进行放大,而且在多数情况下可以运用技术。其中高电子迁移率晶体管的低噪声性能比场效应管更优越,运用这种器件设计成低噪声放大器,在波段噪声温度可达左右,广泛用于卫星接收。而则用一个薄层来作为沟道材料,同时在异质交界面上具有一个更大的不均匀导带,使其比能容纳更高的电流密度和跨导,从而在较宽的工作电流范围内保持更低
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