液态金属吸附促进位错发射的分子动力学研究.pdf

液态金属吸附促进位错发射的分子动力学研究 周国辉 周富信 ‘褚武扬 北‘京科技大学材料物理系 100083) (’中国科学院力学研究所 100080) 张文清 陈难先 北‘京科技大学应用物理研究所 100083) 摘要 利用第一原理和陈难先三维晶格反演方法获得AI-Ga，Cu-Ga和Ga-Ga有效对势.运用分子 动力学研究液态金属吸附对位错发射的影响 模拟结果表明，当AI晶体的裂纹表面吸附Ga原子之后， 裂尖发射位错的临界应力强度显著降低.发射位错的临界应力强度因子从吸附前的。7MPamln降低为 OAMPamrs;当Cu晶体的裂纹表面吸附Ga原子之后，裂尖发射位错的临界应力强度略微降低.发射位 错的临界应力强度因子从吸附前的。55MPamn降低为0.45MPam,rz 通过保守1积分表明 吸附Ga原 子使1积分值增大，即Ga增大了裂纹的扩展力，使得晶体在较低的应力作用小就能发射位错，并在较低 的应力作用下断裂.吸附Ga原子导致临界应力强度因子降低的原因是吸附降低了裂纹的表面能 I型裂 纹发射位错的临界应力强度因子为 { 助 ，_、、厂 4ve%sin61) 人 ，=— 悦— 十I刀扭、，一}叮(7,+— }卜 ’‘s，n0Cos(0){(一‘,)(s-_)’“LJ)rr,(I+e)JJ 其中b为Burgers矢量， “为切变模量，7为表面能，、为Poisson比，6[点阵厘力，!c为位错核半径 中为裂纹面与位错滑移面的夹角.同时，切变模全卜是表面能Y的函数， Ea22p(1+V)a 1= 一下一丁=— 7r-a 7r-a 上面两个表达式说明，表面有断的降低将导致切变模量u的降低，必将导致临界应力强度因子K,。的降低. 关键词 Ga液态金属脆 对势 分子动力学模拟 一 引言 目前对液态金属脆研究取得了一些进展 实验结果表明，像地，Ga等金属被吸附到 一些金属裂纹的表面之后，能显著降低材料的断裂强度 对于该现象的解释存在多种脆断 理论.例如，吸附降低表面能或键合力理论D1.吸附促进局部塑性变形而导致脆断理论叭 这些理论只能解释一部分实验现象或实验结果的个别环节 因此，液态金属脆理论是一个 尚未解决的问题. 现在流行的理论是吸附降低表面能(或键合力)理论，由液体金属脆断的断裂韧性 .{ Ktc(L)可以算出裂纹扩展的阻力R=(I-v)K.2(L)/E，它比材料的表面能大1-3个数量级3[[ 因而不能用Griffith脆断理论R=2y来描述，只能用Orowan理论解释，即R=2ye=2y+Yv， 其中yP为局部塑性变形功.对于液态金属脆，实验测出塑性变形功y,=(100-1000产.!这 325 表明，液态金属吸附导致脆断的过程伴随者大量的局部塑性变形，只有认为吸附降低表面 能的同时也降低局部塑性变形功，才能解释实验现象 TadaoWatanabelal等人研究了Ga诱导的AI双晶沿晶断裂.着重研究了断裂过程中 的声子发射和晶粒取向差的影响.声子发射分四个阶段，即由一个孕育期和几个中