电弧离子镀低温沉积技术的研究.pdfVIP

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  • 2017-12-22 发布于广东
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尾弧离子镀低温沉积技术的研究’ 几 :不_云二 叹二一1玉 二 。二二 〕I少 黄荣若 二互戒一常:毛竺东拼毛 :“ 三、115 旧立扮 1 前言 低注沉积是全代材拼科学丈工工认 打别造薄泣笑仁术的前沿问题 在离子镀饭城 , 这八问趁尤为二要。八一兰代以未.不于渡二发展成为世界范居的一项高新技 术立业。其立要产r钻为高速钾礼硬质全 :叮一只几刀氮化钦或相关体系的对磨镀层和 不毛钊写叙吊上的从化钦仿金袋沛议芸 么忆牡、杖甚成佑地类高了芝切万具和模具能 哥命,在高这招沂礼难拓工材 ·二条仁 一.‘孔又夏勺明显,从而大大地节约了工具费 币.二1保证长对叹毛恶定可靠4二作,勺轰挂伙毛丈互动化生产线 (亦称加工中心户在 、‘未二代的之这户业化.保诬了关泛争 ‘此夕一抓化钦镀层还能改善加工表面质 量.p低摩舞系数、沉创刃部的升至_ 只化袱份士装饰镀层的效果则在于其大大地 推文了小五金徽钎行LI,的发展 离子敏报术套了、一丈代岁一、匕亡 了二心 毛二乡。r-.无,电弧离子}V-己经次代了 其它子种类里蛇二于吸 成方举六认了二拭饭层二止的准一生产工艺 其次.出砚了 一系列新ill,层松儿.汇汉毖至艺认乞万称斑从龙坟层、其它金1的氮化Vl碳化-71 及多元走熔离健变叱台钾谈层,多咨二分该压 三仃获便役性Be上各有其独特点 ‘ 囚万能够成为l.化狡软已灼 良万补花 屯弧犷子键没各和工艺自身也有了很多改 达.与八上花代匕.有汗多爪爪乙尤 当尤宏飞孤丁二’泛共之一三伙二丁. 夕失一怨岌之一系火月退 首龙 能 百二 刃逗:1几 二矛份-: 一_.二 ‘二, _ 一‘了忆 :艾层下滋否住不诱杯以外一心 蓦刃上玻制 化 二派资 之层了弓之一 二全:一 七二离多报灼簇材亡里了其次 曰二- 救层内应刃爪分’- 一丈 丛结了强一毛1及 ’ 少大币-:7b 以致 吕I;0氮化汰镀去 叮度一般不超泛 ‘一g口r 友二一二 _‘一.书必级盆和装乍渡层,这移吮二 足能汗足要求沉 ‘翔几,L特石认应,一 一卜或安求三毕的被层。能否用吃二育寸 链翻各生内应刃狡长匀只乌乞补更万 月 ,?一典二 电弧离子V}能百币于制各其它类 1应用的高注能波层 以上三个可二的下11f三浪_了乙砚 __二一乒:于 二少在倪证获得致密派层组孙,高沈 c度及ft川汉,兰结台强度的前提一,兰书毛.一扮分且弧离子镀的沉东温度M-木丈 介绍电弧离子镀的长 只沉积的豪理、找 ·、、一匕共欢果和发展前景 2.基本原理 众所T .材林科学的两条基本系退达: I.材科的性能诀定于其派成和结玲 .ITJX;自然科学vt全入五p天欢只甲59;9:800 牡得到沈18币卜Ira^, 一「 2.材料的组成和结构决定于制备材料的工艺 结合薄膜的具体情况,它f可以表述为: ① 薄膜的性能决定于其组成和结构 ② 薄膜的组成和结构决定于其制备_}二艺。 具体而言材料科学的基不原理在物理气相沉积 (PVD)薄膜上表现为,P,D 薄膜的结构依赖于基体温度T、与膜材熔点Tm之比丁犷丁二及镀膜时基片接受的煌个 粒子能量,即单粒子能量通-S:E?o blovchan和Demchishin[2]最早提出了蒸镀金属薄膜的结构区域模型CSZNI 图〔1).Thomton[31将SzM,推广应用于溅射薄膜 (图2),并指出对于溅射薄 膜,存在具有细纤维状致密组织的过渡区CT区)。对于薄膜结构有影啊的参量是 T,和沉积室的气压。当几在一定收值范困内时,可实现薄膜组织向T区的转变 当T,过低对,缺少足够的能量使薄膜形成T类型的结构和足够强的膜/基界面结 合。因此,为得到T组织而采取的降低沉积温度的措施受到了化学热力学和结晶热 力学的限制。 Messier等(41发现,形成薄膜致密组织所需的T,的下限,随负偏压的增加而下 降。偏压的作用机理通常用沉积过程中低能离子的轰击效应来解释[5]0通过研究 证实了一系列低能离子轰击的微观效应,例如,增加形核速率6【,7],形成难熔和硬 质相[8],消除柱状

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