第八章 集成电路光刻与刻蚀工艺.pptVIP

第八章 光刻与刻蚀工艺 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形 转移到光刻胶上。 刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素： ①光刻机 ②光刻版（掩膜版） ③光刻胶 ULSI对光刻的要求： 高分辨率；高灵敏的光刻胶； 低缺陷；精密的套刻对准； 绪论 绪论 绪论 绪论 掩膜版与投影掩膜版 投影掩膜版（reticle）是一个石英版，它包含了要在硅片上重复生成的图形。就像投影用的电影胶片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。 光掩膜版（photomask）常被称为掩膜版(mask)，它包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。 绪论 掩膜版的质量要求： 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 绪论 特征尺寸（关键尺寸）