微电子技术综合践微电子技术综合实践.pdf

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2017-12-25 发布于贵州
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微电子技术综合践微电子技术综合实践

《微电子技术综合实践》设计报告题目： P 阱 CMOS 芯片制作工艺设计院系：自动化学院电子工程系专业班级：微电 111 学生学号： 3100433031 学生姓名：王刚指导教师姓名：王彩琳职称：教授起止时间： 6 月 27 日—7 月 8 日成绩： 0 1 目录目录一、设计要求 1、设计任务 2、特性指标要求 0 3、结构参数参考值 0 4、设计内容 0 二、MOS 管的器件特性设计 0 1、PMOS 管参数设计与计算 0 2、NMOS 管参数设计与计算 1 三、工艺流程分析 3 1、衬底制备 3 2、初始氧化 3 3、阱区光刻 4 4、P 阱注入 4 5、剥离阱区的氧化层 4 6、热生长二氧化硅缓冲层 4 7、LPCVD 制备 Si N 介质 4 3 4 8、有源区光刻：即第二次光刻 4 9、N 沟 MOS 管场区光刻 5 10、N 沟 MOS 管场区 P+注入 5 11、局部氧化 5 12、剥离 Si N 层及 SiO 缓冲层 5 3 4 2 13、热氧化生长栅氧化层 6 14、P 沟 MOS 管沟道区光刻 6 15、P 沟 MOS 管沟道区注入 6 16、生长多晶硅 6