Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀 赵丽伟1刘彩池1郝秋艳1滕晓云1朱军山1孙世龙1王海云1徐岳生 冯玉春2郭宝平2 (1河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津300130) (2深圳大学光电子学研究所，深圳518060) 摘要：本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片。 双晶x射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀，腐蚀液为KOH：H。0=3：20～1： 的腐蚀形貌，研究了腐蚀时间、腐蚀液温度与浓度对腐蚀形貌的影响。化学腐蚀可显示GaN 中位错的传播情况且腐蚀坑密度与样品晶体质量存在对应关系，并对其机理进行了讨论。 SEM 关键词：GaN湿法腐蚀AFM 1 引言 GaN的熔点和饱和蒸汽压高，很难采用通常的体单晶生长方法制备晶体，它一般在其 它衬底上异质外延得到。常用的衬底有蓝宝石、SiC、Si和GaAs等。其中Si具有物理性 能好、质量高、尺寸大、成本低、集成工艺成熟等优点，在制备GaN具有极好的应用前景。 然而GaN与si之间存在着很大的晶格失配与热膨胀系数失配，外延层中存在高密度缺陷， 主要是位错，密度高达108～1010cm～。一般采用透射电镜(TEM)观测GaN内的缺陷¨。， 但TEM样品制备困难；也可以采用光电化学腐蚀H’6。显示GaN内部的缺陷，光电化学腐蚀要 求制备电极并与样品表面形成良好的欧姆接触Ⅲ，目前制作GaN器件的难点之一就是欧姆 接触。湿法腐蚀可以很好地解决上述问题，它设备简单，样品制备无特殊要求而且缺陷形 貌清晰。 GaN材料的一个重要优点是在强腐蚀环境下的稳定性，因此GaN材料难以腐蚀。目前， 干法腐蚀峭1应用较多，但干法腐蚀费用高，并且对材料产生损伤，影响随后制作的器件的 性能，寻求一种费用低并对材料损伤小的方法势在必行。湿法腐蚀具有工艺简单、低损伤、 较高腐蚀速率等优点，引起人们极大的兴趣。本文采用热KOH溶液对GaN进行腐蚀，研究 了影响腐蚀的各种因素，得到了良好的腐蚀形貌。从腐蚀形貌的观察中得出了GaN内位错 的信息，并找到一种判断晶体质量的方法。 2实验 为载气。外延生长过程如下：先在1100℃、H。环境下氢化lOmin，以除去硅片表面氧化层， 长厚度约30nm的GaN作为第二层缓冲层，再升温至1040。C生长两组不同厚度的GaN外延 la um。 层，样品A生长时间600s，厚度约0．3m；样品B生长时间1200s，厚度约0．6 采用双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后，在不同腐蚀条件(见表1)对样品A、 ．．80．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 B进行腐蚀。腐蚀后的形貌通过原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)进行观察。 3结果与讨论 GaN外延生长过程中，首先在缓冲层上沉积成核并不断长大形成GaN小岛。随着生长 进行，GaN岛长大并相互结合，由三维岛状生长转为二维平面生长。样品A、B外延层生长 时间不同，因而它们的表面形貌和晶体质量也有差别。图l为样品A、B的表面形貌图。 可以看出，生长时间短的A样品，表面不平整，可见此时GaN小岛未完全合并，还没有从 三维生长转为二维生长；样品B的生长时间长，表面平整，已经实现了二维生长。DCXRD 体质量较高。 (a) (b) 图1 样品A、B的SEM图(a)样品A的SEM图；(b)样品B的SEM图 图2为样品腐蚀后的AFM图，实验测得腐蚀坑密度约108cm～，大小在几十纳米到几百 纳米范围内。GaN生长初期为岛状生长，由于衬底si与GaN外延层有晶格失配与热失配， GaN外延层中位错密度非常高。位错处存在晶格畸变，化学稳定性差，原子间结合力弱。 化学腐蚀时，微电池在这些地方作用比较强烈，优先受到腐蚀，形成对应的腐蚀坑。在样 品表面观察到的六角腐蚀坑，为位错露头。腐