Si元素在铝合金直接氮化合成AIN粉体中的作用研究.pdfVIP

第五届全国粉体工程学术会议论文集 1998年5月 Si元素在铝合金直接氮化合成AIN粉体中的作用 金海波 王文忠 邹宗树 东北大学材料与冶金学院 110006 摘 要 本文探讨了掺杂元素Si在铝合金直接氮化合成AIN粉体工艺中对氮化产物微 观结构的影响_并利用光学显微镜、扫描电子显微镜等检测手段对氮化产物进行了表 征、实验结果表明，铝合金直接氮化过程中，随着母体合金中S:元素的增加，氮化产 物中残余铝含童藻渐减少，铝合金氮化的转化率完全可以达到100%, 关键词 Si AIN粉体 直接氮化 前言 AIN基板具有热传导系数高、热膨胀系数小、绝缘性好、耐热、耐腐蚀、耐高温、 电感应损失小、强度高、易加工、无毒等优良综合性能.在电子基板和封装材料领域倍 受人们青睐，被公认为是替代A1z0。材料最理想的基板材料.铝合金直接氮化法合成 AIN粉体的可行性已经被证实P[I基本上解决了常规合成方法成本过高、氧含量过高的 难题.在铝合金直接氮化过程中，合金中Si元素在直接氮化过程中的作用说法不一 有 人121认为Si在合金的氮化过程中起阻碍作用，在合金的原始成分中Si的含量越高，该 合金的氮化速率越低，转化率也越低.还有人131认为Si元素在合金的氮化过程中影响不 大，随着铝合金中原始Si元素的含量的增加，对铝合金的氮化速率和转化率都没有大 的影响 为此本文主要从合金中Si元素含量对氮化产物的形貌的影响进行分析，并据 此进行了讨论， 1 实验方法 选用高纯铝(99.999%)、高纯镁(99.99%)和成分为26wt%的高纯A1-Si合金作 为中间合金，配制AI-Mg-Si三元合金.合金在高纯氢气和熔剂(CaF2十吨O)保护下 熔炼、铸型及增锅均为高纯石墨材料制成.铸锭长为6cm。宽为4cm，高为3cm的方 238 锭.合金成分按需要配制 Atmosphere 将配制好的铝合金母材装人刚玉增涡中，母材 不与柑竭直接接触，而是用CaSO4粉作为支撑垫床 使其隔开，如左图所示.其目的有二:一是防止合 金在高温时的溃散流动，与柑祸壁粘连.二是起到 阻生剂的作用，使合金只向上方气氛空间生长形成 AIN材料，防止其它方向的生长.实现材料的限制 单向生长.将盛有母体合金的增祸置于反应室内， 在经深度脱氧的高纯氮气中进行恒温氮化10一15 小时、氮化温度为1000℃一1400℃，气体处于微 弱流动状态，流量为 IOnli/min ‘本实验采用不同 CaS04 成分为Al-Mg-Si合金，氮化温度均为1100℃，恒 装料示意图 温氮化10小时. 配制铝合金编号、成分 编号 Mg理论含量(wt%)mg 实际含量(wt%) Si理论含量w/)t.( Si实际含量碗‘%) 1 10 10.15 0 O 2 10 10.53 1.0 1.15 3 10 10.38 2.0 2.04 4 10