Si基ZnO纳米结构制备及其生长机理研讨.pdfVIP

山东师范大学 硕士学位论文 Si基ZnO纳米结构制备及其生长机理研究 姓名：王建波 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：李玉国 山东师范人学硕．I：学位论文 Si基Zn0纳米结构制备及其生长机理研究 摘要 纳米材料因其优异的光学、电学、化学和力学性能成为当今纳米科学技术领 域的研究热点，纳米材料科学的研究涉及纳米材料的结构、性能、应用以及纳米 材料的制备工艺和检测手段等。纳米材料研究在发展过程中逐渐与各种学科交叉 融合，并形成了一些发展潜力巨大的交叉学科，例如纳米电子学、纳米化学、纳 米生物学、纳米分子与器件学等，都涉及纳米材料的研究。 电性能使其成为近十年来各国研究的热点。与其它宽禁带半导体材料相比，zno 具有众多优点，ZnO研究的突破，极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器 等多种技术的瓶颈。ZnO是一种Ⅱ．VI族直接宽带隙化合物半导体，传统上ZnO 是一种具有很大压电系数的压电材料，但自上世纪九十年代末以来，Z110作为光 电材料的研究迅速兴起，同时ZnO纳米材料的研究也是蓬勃发展。ZnO的激子 结合能高达60meV，制作的发光器件可以在室温下获得更高的光增益和发光效 率，这使得ZnO在大幅度提高光存储密度和半导体照明方面具有巨大的潜在应 用价值。常温常压下ZnO的稳定相为六方纤锌矿结构，其晶格常数a_O．3249nm， 接近，因此二者可以互为缓冲层或衬底，这更拓展了ZnO的应用范围。 本论文的研究主要包括两方面内容，首先我们利用磁控溅射技术和热退火技 术在Si衬底上制备了znO、Au薄膜与Au纳米点阵，在此基础上利用热蒸发Zn 源直接氧化法在各种衬底上制备了多种ZnO纳米结构，并以多种电子显微技术 为主，结合x射线衍射等手段，对了纳米结构的形貌、显微结构、成分进行了 测试分析与表征。结合ZnO纳米结构的生长过程与相关测试技术，我们还对znO 纳米结构的生长机理进行了探讨。主要内容如下： 与Au纳米点阵。实验过程中我们研究了退火温度、退火时间对ZnO、Au薄膜 山萋鬻堡疆煮霉蕞是毫霎墼 薹一雾嚣蓁 羹饕燮；需蓁藿隳蓦薹蓁雾自蓁。雾萄雾翼篓誊羹蓊鐾驴雾颡蓁霞矍塞需始篓囊 霎雾雾薹颟稀篓冀蓁羹圈蓁雾墓魏嚣墼璧l8嚣；；蜒巍雾霾震茹高雾裔证薹羹霾雾 l蓁量囊嚣～薰薹雾鎏 独 创 声 明 究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他 研的得取及作工究研的行进下导指师导在人本是文论位学的交呈所明声人本 得(注：如没有获为含包不也，果成究研的过写撰或表发经已人 其他需要特别声明的，本栏可空)或其他教育机构的学位或证书使用过的材料。与 示表并明说的确明了作中文论在已均献贡何任的做所究研本对志同的作工同一我 谢意。 夕 学位论文作者签名： 谴皎 导师签字： 彳么们 ) j 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解堂撞有关保留、使用学位论文的规定，有权保留 并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本 人授权堂撞可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以 采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密 后适用本授权书) )