精品电工学三极管.pptVIP

5.2 半导体三极管 高频管、低频管 小、中、大功率管 频率： 功率： 材料： 硅管、锗管 结构： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 * 在一个硅（锗）片上生成三个杂质半导体区域，一个P区（N区）夹在两个N区（或P区）中间。从三个杂质区域各自引出一个电极，分别称发射极，集电极，基极，它们对应的杂质区域分别为发射区、集电区，基区。 一 晶体管的基本结构 特点： 基区很薄（微米数量级），而且掺杂浓度很低，发射区和集电区是同类型的杂质半导体，但前者比后者掺杂浓度高很多，而集电区的面积比发射区面积大，因此它们不是电对称的。 * 二 三极管的工作原理 1.BJT内部载流子传输过程 （1）.发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流。 由于发射结外加正向电压，发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区，形成发射结电子扩散电流IEN，其方向与电子扩散方向相反，同时，基区的多子空穴也要扩散到发射区，形成空穴扩散电流IEP，方向与IEN相同，IEN和IEP一起构成受发射结正向电压UBE控制的发射结电流（即发射极电流）IE。 即IE＝IEN＋IEP。由于基区掺杂浓度很低，IEP很小，所以IE≈IEN * （2）.载流子在基区扩散与复合，形成复合电流IBN 由发射区扩散到基区的载流子电子在发射结边界附近浓度最高，离发射结越远