精品电子科大课堂-模拟电路-第4章.pptVIP

* * 例1（题4-15）CD-CB组合放大电路如图，求Au。 * 小信号等效电路为： * 解： * * 另解 * 例2（题4-16）解（1）由电路 UDS=UGS （IG=0） UDD=IDRD+UDS ∴20=1×RD+UDS-----（1） 将k=0.25mA/V2 iD=ID=1mA , UT=2V , UGS=UDS 带入iD=k(UGS-UT)2 式中得：1=0.25(UDS-2)2 解出UDS=4V 带入（1）式求出RD=16kΩ （2）∵UGS=UDS=4V＞0 ， ∴此偏置电路不能用于结型管，可用于耗尽型管。 * 交流通路为： 例3（题4-17） * 解： （1） * * （2） * * （1）结构：衬底为N型，S、D区为P+； （2）工作在放大区偏置电压条件 uGS＜UT（＜0）； uDS＜uGS-UT ； （3）iD方向：流出漏极； （4）转移特性曲线：三象限； （5）输出特性曲线：三象限且参变量uGS为负值。 5、P沟道增强型MOS管归纳、对比 * 二、N沟道耗尽型MOSFET 1、结构和工作原理 * 管子存在原始导电沟道，只要UDS＞0，就有iD； 加入uGS可改变原电场强度： 当uGS＞0时，加强原电场，沟道加宽，iD↑， 当uGS＜0时，削弱原电场，沟道变窄，iD↓， 当uGS达到某一负电压UP时，外电场抵消原始自建电场，沟道消失，iD=0 。 故耗尽型MOS管的uGS可在一定范围内（正～负）控制iD。 UP：称为耗尽型管的夹断电压， 其值为反型层(原始沟道)刚刚消失时对应的uGS。 * 2、特性曲线 转移特性曲线 耗尽型MOS管除uGS取值与增强型管不同外，其余工作原理与之相同。 * iD、uGS间的数学关系与结型管相同 即： 输出特性曲线 参变量uGS可正、 可负、 可为零。 * 3、N沟道耗尽型MOS管放大偏置条件 uGS＞UP（UP＜0）； uDS＞uGS-UP * 4、P沟道耗尽型MOS管归纳、对比 iD方向：流出漏极； 放大偏置条件：uGS＜UP（UP＞0） ； uDS＜uGS-UP 三、六种类型场效应管转移特性归纳 N沟道管 P沟道管 * 练习1 由各转移特性曲线判断管子类型，标出相应的参数。 * 练习3 已知N-JFET的IDSS=2mA，UP=-4V，定性画出转移特性曲线和输出特性曲线。 * 4-3 FET偏置电路 FET偏置电路种类有： 自给偏压电路和混合偏压电路等。 一、自给偏压电路 由于自给偏压电路提供的UGS＜0，∴该偏置电路适 用于N沟道结型、耗尽型，而不适于增强型管。 直流通路 * 由输入回路得 UGS=-IDRS ………（1） 静态工作点计算（求解UGSQ、IDQ、UDSQ）： 首先画出电路的直流通路 由iD～UGS关系式得 * 联立求解(1)(2)即得一组合理的UGS、ID 。 再由输出回路列KVL有：UDS=UDD-ID(RD+RS) 求出UDS值。 例4-3 * ∵ UGS=UG-US=UG-IDRS ∴该偏置电路适用于所有类型的FET，应用最为广泛。 二、混合偏压电路 直流通路如下： * 静态工作点的计算： 由电路输入回路写出UGS～ID外特性关系，由管类型写出iD～uGS平方律关系，联立求解得UGS、ID；再由输出回路KVL求出UDS。 例4-5 * 练习：试分析下列电路能否正常放大，并说明理由。 * 4-4 FET的交流参数和小信号模型 1、交流