光电检测技术03.ppt

发光、耦合和成像器件 1 发光二极管 2 激光器 3 光电耦合器件 4 CCD 发光二极管 发光二极管（LED）的类型 发光二极管的原理 发光二极管的特性 发光二极管的应用 激光器 激光器在光电检测中的应用 激光测距，测长，测平面度等 激光大气污染检测 激光ＤＮＡ检测 激光海洋探测 激光制导 激光雷达 激光干涉测量（探伤） 激光全息测量 光电耦合器件 定义：发光器件与光接受器件的组合器件。 类型： 光电耦合／隔离器：在电路之间传递信息，又能实现电路间的电气隔离和消除噪声。 光传感器：用于检测物体的位置或物体有无的状态。 发光器件：ＬＥＤ，ＬＤ，灯等 光接受器件：光电二极管／三极管，光电　　 　　池，光敏电阻。 工作原理与特点 发光器件与光接受器件封装一体，但不接触，有很强的电气绝缘性，信号通过光传输。 特点： 具有电隔离（１０１０－１０１２欧姆）功能； 信号传输单向（脉冲或直流），适用于模拟／数字信号； 具有抗干扰和噪声能力； 响应速度快（微／纳秒，直流－１０兆赫兹），体积小，寿命长，使用方便； 既有耦合特性，又有隔离功能； 光电耦合器件的应用 代替脉冲变压器耦合从零到几兆赫兹的信号，失真小； 代替继电器使用，做光电开关用； 把不同电位的两组电路互连，完成电平匹配和电平转移； 作为计算机主机与输入／输出端的接口，大大提高计算机的可靠性； 在稳压电源中作为过流保护器件，简单可靠。 光电位置敏感器件（PSD） PSD用于测量光斑的位置或位置的移动量 光束入射光敏层,在入射位置产生与入射辐射成正比的信号电荷,该电荷形成的光电流(I1 , I2)由信号电极1和2输出，３为公共电极 XＡ: 位置信号 I0 = I1 + I2 CCD CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD的结构 MOS 光敏元：构成CCD的基本单元是MOS(金属—氧化物—半导体)结构。 电荷存储 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。 当UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。 电荷的转移（耦合） 第一个电极保持10V，第二个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。 若此后第一个电极电压由10V变为2V，第二个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。 CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD，1μm的间隙长度是足够了。 ＣＣＤ的工作原理 ＣＣＤ主要由三部分组成：信号输入、电荷转移、信号输出。 输入部分：将信号电荷引入到ＣＣＤ的第一个转移栅极下的势阱中，称为电荷注入。 电荷注入的方法主要有两类：光注入和电注入 电注入：用于滤波、延迟线和存储器等。通过输入二极管给输入栅极施加电压。 光注入：用于摄像机。用光敏元件代替输入二极管。当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子—空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 ＣＣＤ的工作原理 在ＣＣＤ栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压，则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内信号电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出视频信号。 为了实现电荷的定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD。由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。 CCD的特点 体积小，功耗低，可靠性高，寿命长。 空间分辨率高，可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高，动态范围大，红外敏感性强，信噪比高 。 高速扫描，基本上不保留残象(电子束摄象管有15~20％的残象) 集成度高 可用于非接触精密尺寸测量系统。 无像元烧伤、扭曲，不受电磁干扰。 有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定，便于与计算机结合接口。 CCD的特性参数