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多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展
第32卷 第5期 暨南大学学报 (自然科学版】 V0I-32 NO．5
2011年 10月 JournalofJinanUniversity(NaturalScience) 0ct． 2011
多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的
微观带隙能态及 电学模型的研究进展
黄君凯， 刘 璐， 邓婉玲
(暨南大学 信息科学技术学院 电子工程系，广东 广州 510630)
[摘 要] 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高，其应用也日益广泛，特别是在有源液晶显示器，以及新一代有
机发光显示器件等领域的应用极为迅速．对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究，必须建立在
准确的晶界带隙能态分布信息的基础上．本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模
型，这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础；重点介绍了RPI模型及最新的模型研究进展，并对这些模型进行了评述；
最后提出了多晶硅薄膜晶体管模型的建模方向与研究策略，包括模型的完整性、普适性和系统性．
[关键词] 多晶硅薄膜晶体管；模型； 晶界带隙能态
[中图分类号] TN303 [文献标志码] A [文章编号] 1000—9965(2011)05—0528—06
Researchprogressincharacterizati0nofgapenergydistributionand
electricalmodelofpolysiliconthinfilm transistors
HUANGJun-kai， LIULu， DENGWan—ling
(DepartmentofElectronicEngineering，CollegeofhfformationScienceandTechnology，JinanUniversity，Guangzhou510630，China)
[Abstract]一 Thetechnicalimprovementofpolyerystallinesiliconthin—filmtransistors(poly—SiT盯s)
makestheir印plicationsbecomeincreasinglyimportantinthenew generationofdisplaydevice，especially
foractive—matrixliquid—crystaldisplayandorganiclight—emittingdiode．Physicallyacompletecharacter-
izationandmodelingofthepoly—SiTFTs’electricalcfiaracteristicshouldbaseontheaccuratedistribution
ofgrainboundaries(GB)densityofstate(DOS)．Researchprorgessandmathematicalmodelsofrdistli~
butionofGBDOSihpolysiliconmaterialaredescribedindetail，whicharethebaseofmodelingofrpoly—
SiTFTs．TheemphasisofthispaperislaidonRPImodelandnewresearchprogressinmodeling，aswell
astheirperformances．Therefore．someresearchstrategiesofrimprovementofpoly-SiTFTscompactrood-
elsareproposed，includingintergality，suitabilityandsystematicmodels．
[Keywords] polycrystallinesiliconthin—filmtransistors；model；grainboundariesdensityofstate
[收稿
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