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5.4.3 溅射方法 2. RF溅射 原理：高频电场经其他阻抗形式耦合进入淀积室； 特点：适于各种金属与非金属靶材； * * 5.4.3 溅射方法 3.磁控溅射 原理：磁场在靶材表面与电场垂直，电子沿电场方向加速、绕磁场方向螺旋前进，提高了电子碰撞电离效率。 特点：淀积速率最高 * * 磁控溅射 * * 作业 请详细介绍你熟悉的微电子器件/集成电路制造中的某个工艺技术，如光刻、氧化、掺杂、衬底制备、铜互连、低k介质材料、高k介质材料、欧姆接触、 新型半导体材料技术(SiGe、SiC、GaN、应变Si、SOI等)、以及各种器件及IC技术(结构、模型、设计制造等)历史、发展、国内外研究现状、应用、存在问题等。 Word文档；3000字；附文献； 全体最后一次课前交 小论文计入平时作业 * 集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2013.10 * 第五章 物理气相淀积 PVD：physical vapor deposition 淀积特点：物理过程； 定义：利用某种物理过程如蒸发或溅射方法实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上，淀积成薄膜。 技术： ① 蒸发(Evaporation)：早期制备金属薄