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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
微波功率SiGeHBT的温度特性及分析木
杨经伟1，金冬月2，张万荣1，邱建军1，高攀1
1．北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022
2．辽宁大学物理系，沈阳110036
HBT的
摘要：通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系，发现SiGe
BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT，从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合
做微波功率器件。
关键词：SiGetfBT；温度特性：微波功率晶体管
门n J，、1 o J ● 1
UnaracterlSt1CSancI
上emDeratUre
ofMicrowave 邶。上。皿T
Am]ys。 POWerpower
Abstract：TherelationbetweenCO—emittercharacteristiCSand
input temperature
ofSiGeHBTwasstudied．The wasfoundthatthe
phenomenon temDeraturecoefficient
ofBE ofSiGe船TiSsmallerthanthatofSi
junctionvoltage BJT．Therefore．SiGe
皿Thas
been tobemoresuitablefor ofmicrowavedevice．
proved applications power
PowerTransistor
words：SiGeHBT：TemperatureCharacteristiCS：Microwave
KeY
1引言
SiGe
ttBT(异质结双极型晶体管)以其良好的性能以及价格的优势在高频、大功率应
用中占据了越来越重要的地位。作为微波功率器件，为保证其安全工作，一般要求晶体管
工作在低压大电流模式下，这样就很容易使器件温度上升，从而导致其各项性能参数的变
化，其中由于热电正反馈引起的二次击穿是造成晶体管永久失效的主要原因n1。所以对器
件相关参数的温度特性进行研究对晶体管的设计、制作及应用具有重要意义。
2 SiGe
HBT的温度特性试验
ossGe¨。／Si
本实验采取器件样品为Si／Si HBT，其纵向结构及其工艺参数分别如图1和
表1所示。
器件所在环境温度由程控温箱提 E
供，从23℃升至260℃，温度间隔步长为
20℃，每个间隔上升时间为15分钟，在
每个温度点保持稳定30分钟，然后分别。 i．SiG毛
of
4155C晶体管测
在各温度点利用Agilent i．Si
试仪测量器件共发射极输入特性曲线
(IB随VBE变化情况)。测得结果如图
2所示。 SiGe
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