影响硅片在酸液中腐蚀速度的因素研究.pdfVIP

·642·’中国太阳能光伏进展 影响硅片在酸液中腐蚀速度的因素术 刘志刚 孙铁囤 安静 汪建强 苦史伟 徐秀琴崔容强 上诲交通大学物理系太阳能研究所上海200240 【摘要】 理与酸液的配比有关。影响酸液腐蚀硅片的因素有酸液比例、溶液温度、‘稀释 剂与助剂的添加、硅片表面状况、是否加搅拌等。通过改变反应液比例，控制 反应液温度，添加合适稀释剂，加一定搅拌等方法可有效控制反应速度。 【关键词】 硅腐蚀腐蚀速度 0引言 了大量的研究。当将酸液体系应用于多晶硅太阳能电池的绒面制备时，最大的困难是反应不 了影响腐蚀速度的因素。 。 1影响反应速率的因素 1．1 酸液成分对腐蚀速率的影响 温度和扩散系数完全相等，硅的氧化和硅氧化物的溶解都立即发生【2】。加入水可减慢腐蚀速 度，但并不能改变最大腐蚀速度时HF／HN03的比值口J。 氢氟酸含量比较高时，硝酸是动力学的主要试剂。硝酸浓度的稍微减小能很快降低反应 速度。即使氢氟酸浓度有少量变化，仍有足够的量去溶解硅表面的氧化膜，反应速度变化不 大。硝酸的氧化机理比较复杂【4“】，硅腐蚀过程中硝酸消耗过程中是复杂的自催化过程。 当硝酸过量时，HF酸在动力学上起着重要作用瞄】。氢氟酸少量的变化能明显改变硅片的 腐蚀速度盯】。硅片表面覆盖着氧化膜，即使硝酸浓度有少量变化，仍有足量的硝酸氧化硅表 面。硝酸含量的减小只能使氧化膜变得纤细【4·引。当氢氟酸的浓度在10％～50％之间变化时， 宰感谢上海市科委项目“高效多晶硅太阳电池关键技术及中试研究”的资金支持(课题编号： 03DZl2028)。 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ·643· 腐蚀速度与氢氟酸的浓度呈线性关系，当浓度低于10％时，二者之间的关系几乎是直线上升 的【2】。氟离子是化学动力学阻的主要因素一】。少量HF加入到硝酸溶液中，表面混合电势的变 化，再加比较多的I-IF酸时，产生了过多的电子和空穴，反应速度增大【l】。 ● 1．2添加剂的影响 ， 常用的稀释剂是水和冰醋酸，。二者缓蚀作用的不同反映了他们的碱度和电离常数。水的 加入主要降低了硝酸的浓度，从而减小了酸液对硅片的氧化能力。当用冰醋酸做稀释剂时， 减少了硝酸的溶解，降低了反应速度H1。当向酸液中加入NaN02时，高硝酸区域，腐蚀速度 几乎没有变化，高氢氟酸区域，反应速度明显增大，这是因为NaN02和溶液中氢离子形成了 氧化反应所需的催化剂HN02№1。加入磷酸到酸液中，既可以降低硅片腐蚀速度，又可改变 ·硅片表面的腐蚀形貌110．11l。磷酸液不参加腐蚀反应，不能改变化学动力学。但能提高溶液黏 度，’提高物质一传输阻，‘降低腐蚀速度。而且溶液黏度的增加不利于表面气泡的脱离，有一定 气泡掩蔽作用，降低了腐蚀速度u21。当腐蚀液中含有表面活性剂时，表面的张力不同，腐蚀 的表面形貌会有变化[10．】。可将氟化氨直接加入到硝酸溶液中，氟化氨中氟离子和硝酸中氢离 ‘ 子形成氢氟酸。用氟化氨代替氢氟酸起到了缓冲作用【131。 1．3硅片表面状态对腐蚀速度的影响 一般的话，切割硅片腐蚀速度比光滑硅片的腐蚀速度大，这是因为腐蚀过程产生的催化 剂易于被硅片表面的裂缝捕获，并易于聚集在其周围有助于腐蚀反应【3，51。还可认为，切割 硅片的面积大，有更多的硅表面接触到了酸液。另一方面，可能是因为不均匀表面的势能不 一样，电解反应从势能比较低的地方引发，致使了不均匀表面的腐蚀速度较快【21。如果把硅 与硅片分离前会附着在硅片上一段时间，腐蚀反应不能在气泡的掩蔽位置反应，降低了反应 速度n2·161。 1．4反应温度对腐蚀速度影响 ，， 。· 温度对氧化控制反应的影响比较大，对扩散控制反应的影响比较小【5】。温度升高，根据 阿伦尼乌斯方程，反应速度常数会