用正电子寿命分布研究塑性形变GaAs.pdfVIP

. . . . . . 用正电子寿命分布研究塑性形变GaAs* 王柱 王少阶 陈志权 马莉 李世清 (武汉大学物理系，武汉 430072) . Email:wangz@positron.wliu.edu.cn . 摘 要用正电子湮没寿命谱及最大墒原理研究了塑性形变p型GaAs中的缺 陷性质。样品原始载流子浓度为2.63X108cm-形变星分别为2.5%和15%0 一 . . 室温止电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空 . 位团。根据塑性形变样.u711中空位团的正电f-捕获率的大小和寿命谱温度关系初 步判断:在p型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为fl。 关键词p型GaAs,MELT，点缺陷，塑性形变，il4.f寿命 引 言 半导体材料的缺陷性质对其电学，光学性能有较大影响 因为缺陷常常充当载流子的 复合，散射中心。根据费米能级的位置，缺陷的电荷态可以是中性，负电性或il:电性。通 常负空位和中性空位能捕获止电子。而止空位不捕获正电尸’·21。早在1986年，Puska等人 l 己经从理论上预言了在正空位处也存在正电子束缚态III，只是由于捕获残 ，在正电子 实验中至今还未观察到止空位，也就是说没有发现止空位能捕获正电子(f 。因而，研 究正空位与止电子之间相互问题具有相当大的实验和理论价值 标准的形变技术能 I 半导体Si中的点缺陷种类和数量[al。这种技术在GaAs材料的应用已有报道151.Sictl 人通过对GaAs应力应变曲线的分析，发现了位错迁移激活能与白扩散激活能之佰拍 并进一步说明位错运动是点缺陷产生的根源。儿个小组已经用if:电fcX没谱研究了塑性形 变 n型和平绝缘(SI)型GaAs中的缺陷特性16-B1他们共同的结果是 形变样im中产生I新 . 的缺陷一微空洞:此外，单空位和负离r型缺W,的浓度增加。与，1型和Sl型平导体材料相 比，p型GaAs的正电子研究要少得多191已有的儿篇文献报N了在p型材料中r电子寿命 I 非常接近非局域正电子寿命的理论值(230ps)1e-]]I没}1观察到i1.电子捕获。N前尚末见到 有关形变p型GaAs的止电子研究的报导 本文选择p型GaAs为样品进行形变研究 测量了室温 卜1L电厂寿命随形变量的变化， I 并用最大嫡正电户寿命分析方法，即MELT程序得到了不同样.n的正电子寿命分布 i」论 了塑性形变p型GaAs样品中的缺陷特性。 实 验 样品为水平区熔生长的pT?GaAs(掺Zn)单leil3室1fl}载流子浓度n=2.63X10cm一’ 将样品切成形状为13X7X3mm，的小片，表面取向分别为(213),(111),(4引)。塑性形 l 变所用仪器为MTS-81。材料实验机 在温度530C,纯氛气保护气氛中，以恒定形变速率， 沿213方向单轴压缩。具体形变条件列于表 I为了进行止电子湮没测量，将姆个形变后 的样品平行于((111)面剖切为两片 l 表1p型GaAs沿213方向单轴压缩的塑性形变条利 Sample dc/