课件薄膜物理-ch8薄膜的结构与缺陷.pptVIP

薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 X射线光电子能谱（XPS） K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，简称为“ESCA”，这一称谓仍在分析领域内广泛使用。 随着科学技术的发展，XPS也在不断地完善。目前，已开发出的小面积X射线光电子能谱，大大提高了XPS的空间分辨能力。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 光电效应 根据Einstein的能量关系式有： h? = EB + EK 其中? 为光子的频率，EB 是内层电子的轨道结合能，EK 是被入射光子所激发出的光电子的动能。实际的X射线光电子能谱仪中的能量关系。即 其中为真空能级算起的结合能?SP和?S分别是谱仪和样品的功函数 。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 EBV与以Fermi能级算起的结合能EBF间有 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 二次离子质谱（SIMS） Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) Ion Scattering Spectroscopy (ISS) Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) 早在本世纪30年代，Arnot等人就研究了二次离子发射现象。1949年，Herzog和Viekbock首先把二次离子发射与质谱分析结合起来。六十年代，先后发展了离子探针和直接成像质量分析器。七十年代又提出和发展了静态二次离子质谱仪。这些二次离子质谱仪的性能不断改进，使之成为一种重要的、有特色的表面分析手段。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 二次离子质谱是利用质谱法分析初级离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素，并能给出同位素的信息，分析化合物组分和分子结构。二次离子质谱具有很高的灵敏度，可达到ppm甚至ppb的量级，还可以进行微区成分成像和深度剖面分析 。 一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射，即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 聚苯乙烯的二次离子质谱 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 二次离子质谱仪 二次离子质谱仪至少包括主真空室、样品架及送样系统、离子枪、二次离子分析器和离子流计数及数据处理系统等五部分。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 二次离子质谱仪-质谱分析器 二次离子分析系统早期采用磁质谱分析器，但仪器复杂、成本高。 表面分析的静态SIMS中，几乎都采用四极滤质器，它没有磁场、结构简单、操作方便、成本低。 飞行时间质谱计分析速度快、流通率高，可以测量高质量数的离子，而逐渐受到人们的重视。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 基本原理：离子溅射 基本组成：真空室、离子源、质谱仪 辅助组成：电子中和枪 主要功能：成分分析、化合态分析 分析方法：动态、静态、深度剖面、面分布 应用范围：固体材料 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 低能电子能谱(LEED) Low Energy Electron Diffraction * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 1921年 Davisson 和Germer就研究了电子束在单晶表面的散射现象。并发现了电子的散射不是各向同性的。 30年代后，人们开始了低能电子衍射方面的研究。 50年代，随着超高真空技术的发展，人们识别到获得清洁表面对观察低能电子衍射图象的重要性，用LEED研究了Ti, Ge, Si, Ni, SiC等的表面原子排列，并开始研究气体在单晶表面的吸附现象。 从七十年代开始，开展了 LEED 强度特性的理论研究，并结合计算机模拟计算，对表面结构进行研究。 目前，人们已对一百多种表面结构进行了研究，得到许多表面吸附结构方面的新知识。 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 入射电子的能量通常为20~ 500 eV，对应的波长为0.3~0.05 nm。 低能电子衍射装置的原理示意图 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 * 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析