雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究.PDF

34 8 硅 酸 盐 通 报 第 卷 第 期 Vol． 34 No． 8 2015 8 BULLETIN OF THE CHINESE CEＲAMIC SOCIETY August ，2015 年 月 雾化施液 CMP 抛光硅片的亚表层损伤研究 ， 壮筱凯 李庆忠 ( ， 214122) 江南大学机械工程学院 无锡 : CMP ， 。 摘要 雾化施液 抛光后的硅片依然存在亚表层损伤 会严重影响硅片的使用性能 首先利用化学腐蚀法和光 。 学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度 然后利用显微共聚焦拉曼光谱 。 仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况 最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层 。 : ， 的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律 研究表明 随着表层到亚表层深度的增加 微裂纹损伤愈 ， ， 1． 2 × 104 /cm2 ; 加严重 硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区 位错平均密度为 雾化抛光后的硅片表面 ， ; 0． 99 m ， 被引入残余拉应力 应力沿硅片对角线方向呈对称分布 亚表层的损伤深度大约为 μ 随着雾化器电压的增 ， 。 大呈递减趋势 而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小 : ; ; ; ; 关键词 雾化施液 位错 微裂纹 残余应力 亚表层损伤深度 中图分类号:TN305 文献标识码:A 文章编号:1001-1625 (2015)08-2291-07 DOI:10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2015.08.041 Detection of Subsurface Damage of Wafer Polished by Ultrasonic Atomization CMP ZHUANG Xiao-kai ，LI Qing-zhong (College of Mechanical Engineering ，Jiangnan University ，Wuxi 214122 ，China) A