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飞秒激光制备的纳米结构及其超快光电响应研究
赵福利1贾天卿1,2黄敏1陈洪新1吴晓君1徐至展1,2
1中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
800
2上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海,201
摘要:本文通过不同偏振态的飞秒激光作用在SiC,ZnSe等材料上进行了纳米材料的
垂直的线偏振的飞秒光脉冲,根据二者的不同光强比,在ZnO和CdS上获得不同取向
的纳米阵列结构。阵列周期常数与偏振光强比相关;加载圆偏振飞秒脉冲在6H—SiC
上获得了纳米颗粒结构。本文还针对ZnSe材料的超快光电特性进行了泵谱一探测偏振
差分探测,发现含有纳米结构的ZnSe的光电响应的频谱较体材料ZnSe的光电响应频
谱向高频方向移动,并出现了新的谱带结构,响应速率达到Thz量级。
关键词:飞秒,SiC,ZnSe,纳米结构,太赫兹
C
PACC:4265,6146,7280
飞秒微加工是近年来兴起的研究热点,由于飞秒脉冲时间与声子驰豫时
间接近,甚至比声子驰豫的时间还要短,因此使用飞秒脉冲对材料进行微加
工时,可以忽略材料的热效应,这使得飞秒微加工成为无热扩散,无溅射余
料的洁净加工。此外,飞秒激光可以对透明材料进行深度的三维微加工,在
三维光存储,飞秒全息等方面极具潜力和发展前途。同时,飞秒脉冲与半导
体材料相互作用,进而实现基于半导体材料的纳微光电加工方法和技术研究
吸引了广泛的研究兴趣,、它融合了现代微电子技术、纳米光电材料制备以及
纳微光电子研究等方面的研究,是未来开发纳微光、电以及电、光集成技术
等方面的一个富有生命力的研究课题。本文基于以上原因,使用飞秒脉冲在
半导体材料中制备了不同形貌的半导体纳微结构,并对部分结构进行了超快
光电响应探测。实验结果显示:获得的半导体纳微结构的超快光电响应具有
高损伤阈值,其超快响应速率高于相应的体材料。
一、纳微结构制各方法
mJ。
可以输出线偏振130fs、800nm、lkHz的激光脉冲,单脉冲能量小于l
与基频光垂直。通过在光路中插入800rim的1/4波片,将基频飞秒激光的偏
振态转变为圆偏振。入射到样品表面上的激光能量可以通过转动格兰棱镜而
连续改变。6H
小于15nm。。
样品固定在计算机控制的三维精密
平移台上,平台位移精度为0.21.tin。飞秒
激光脉冲经过焦距为150mm的石英透
镜聚焦到样品表面。飞秒激光照射后,
将样品取下并依次浸在丙酮、酒精及去
离子水中超声振荡,以去掉样品表面激
光烧蚀形成的沉积物。样品表面烧蚀形
貌及纳米结构成分用扫描电镜/)(一射线
能谱连用仪(XL一30FEG/DX.4I)来表征。
显微拉曼谱分析是在显微激光拉曼光谱 图1飞秒纳微加工实验装置示意图
仪(micro.Raman,RM2000)上进行的。
二、纳微结构及表征
1.SiC纳微结构以及生长机理
图2为800姗线偏振飞秒激光照射下样品表面形貌的演化过程。单脉
SiC晶体的烧蚀阈值(O.66J/cmz12)。当脉冲数
冲激光能量为20山,高于6H
较少时(2个脉冲),在材料表面光斑处形成了一些粒径为50nm左右、稀疏
排列的纳米颗粒(如图2(a))。
随脉冲数增加,在烧蚀斑的边缘处开始出现周期约为190nm、平行于
激光偏振方向的短周期结构条纹;中央则形成了方向相互垂直的长周期的条
纹。与激光偏振方向平行的干涉条纹周期约为600nm,略小于激光波长,通
常认为这种经典干涉条纹是基频光与沿表面传播的散射光相互作用形成的
干涉条纹。而与激光偏振方向相垂直的条纹周期约为2.3}tm,远大于入射激
光波长,且其周期随枪数增加而略有增加。当脉冲数达到300时,烧蚀斑边
缘处短周期纳米结构的周期减小为150nm左右,之后随脉冲增加,其周期
基本不再变化;烧蚀斑中心的长周期条纹已基本被烧蚀掉,靠近边缘处与激
光偏振方向平行的经典干涉条纹仍存在。当激光脉冲数达到1000时,长周
期条纹都已被烧蚀掉,仅在边缘处得到短周期排列的纳米结构。以上结果说
明短周期排列的纳米结构是
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