硼硅玻璃与Kovar合金阳极键合机理分析研究.pdfVIP

鲞查型篁!塑壁夔整曼鉴!翌!鱼全塑堡堡金盟堡坌堑 硼硅玻璃与Kovar合金阳极键合机理分析。 宋永刚，秦会峰，胡利方，孟庆森 (太原理工大学材料科学与工程学院，山西太原030024) 摘要： 硼硅玻璃与Kovar合金进行阳极键合实验， 表2 Kovar合金的化学成分(质量分数．％) Table2Chemical ofKovar 通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行 compositionalloy 分析表明：硼硅玻璃／Kovar合金的键合界面有过渡层 惑份 含量 成份 含量 生成，分析认为在外加电场和温度的作用下玻璃耗尽 C 0．03 l’ 0．02 层中的氧负离子向界面迁移扩散并与金属发生氧化反 S O．02 Mn O。05 。 应是形成过渡层的主要原因，而界面过渡层的形成是 Si O．30 Al O．10 硼硅玻璃／Kovar舍金界面实现连接的基本条件、 Mg O．10 Zr 0．10 关键词： 阳极键合；硼硅玻璃；Kovar合金；过渡区 Ti O．10 Ni 28．50～29．50 Co 16．80～17．80Fe 剩余 中图分类号： TG453 文献标识码：A 将试验材料硼硅玻璃和Kovar合金分别切成 文章编号：1001—9731(2006)(增千U)一0649—03 l 引 宙 使其表面粗糙度R。Igm。用标准的RCA溶液清 阳极键合(anodic bonding)技术自从D．I．Pomer— t t 1l H202；H：O一0．25 antz在1968年首次发现静电热键合现象以来，由于其 5)，最后用去离子水清洗 具有连接温度低、速度快、工艺简单及可连接异质材料 并用氮气吹干。将硼硅玻璃、Kovar合金片叠放并夹 的特点，在微型机械、微传感器、微型仪表的制造以及 持于专用键合试验炉平台的正负电极之间，Kovar合 电真空、航空领域、太阳能电池等方面得到广泛的应 金片接正极，硼硅玻璃接负极(图1)。试验温度250 450 用[1~3]，通过阳极键合技术来实现功能陶瓷与金属(或 半导体)的连接，大多采用溅射玻璃薄膜作为陶瓷基体 的过渡层cl’3’扣，其实质还是玻璃与金属(或硅)的键合，随炉冷却，冷速4℃／min。 因而玻璃／金属阳极键合机理研究显得尤其必要。 为提高阳极键合在微机电机械系统(MEMS)中的 稳定性，许多专家对玻璃／金属阳极键合技术进行了多 方面的分析[2~7]。然而，关于阳极键合的反应机理以 及玻璃／金属阳极键合的界面微观结构认识尚不一致。 本文通过扫描电镜对硼硅玻璃／Kovar合金阳极键合 的界面微观结构进行了分析，并对其键合机理进行了 图1 阳极键合的实验装置图 研究探讨。 1 Schematicofanodic F