碳纳米管掺杂MgB2的磁通钉扎特性研究.pdfVIP

第 卷 第 期 低 温 物 理 学 报 ! ! # $%’! (%’# !! !! !! !! !! 年 月 +,-(./.0123(4516517 8.9:.34823.:,;/-+/ ! !))# ** (%’ !))# 碳纳米管掺杂+ ! 的磁通钉扎特性 , # 杨 烨 朱晓彤 崔雅静 周华明 赵 勇# ! !! !! !! !! ! 西南交通大学超导研究开发中心!材料先进技术教育部重点实验室!四川成都 =*))* ! 利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂 的 超导材料 时! 掺杂 +(8T 9 A ’*)O *@ ! ! F ! 量的样品在零场下 d! !不可逆场为 !退火以后样品的不可逆场提高到 # f*’EHS 4UQ =’H8 $ 时! 掺杂量的样品在零场下 d! !不可逆场为 样品的 ’#8’!)O )’#@ # f*’*#S 4UQ M8’ $ 钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用’ 关键词9 A #二硼化镁#碳纳米管#磁通钉扎 F ! ! ! -.$ M=) =M=) #M) *引 言 !! $ % * 自从 年初! 的超导电性被发现以来在超导界引起了极大的关注 为了提高 !))* 9 A ’ F ! 9 A 的特性就要求在样品中引入高密度的钉扎中心!特别是合适尺度的纳米钉扎中心!以 F ! 此来提高二硼化镁在高磁场下的临界电流密度 化学掺杂是引入有效钉扎中心一个较好的 ’ 方法 通过化学掺杂在 样品中引入钉扎中心取得较好效果的工作有 ! !纳米金刚 ’ 9 A Y?8B F ! $ % ! # 石及 等 !这些粒子的掺杂在不同程度上提高了 样品的临