碳纳米管场致发射显示器CFED研究.pdfVIP

碳纳米管场致发射显示器C-FED 朱长纯 史永胜 (西安交通大学电信学院 陕西西安710049) 摘要：本文介绍了国外C-FED发展现状，及其C—FED的结构、性能生产工艺进行了分析论述，着重讨 论了各种关键技术的优缺点。屉后展望FED未来的发展趋势。 对显示器件第一需求是它的图像质量好，其次，成本优势是器件立于市场的根本。在 业界同仁已有共识，继LCD和PDP之后，下一代显示主流为C—FED及OLED。碳纳米管优良 入了新的活力。主动发光型C-FED是薄型平板CRT，发光原理与CRT相同。具有CRT画质 和LCD薄型低耗的双重技术优点，最适台电视特性；生产工艺简单，尤其是碳纳米管阴极 印刷制造技术极易于大批量生产大尺寸C-FED。大尺寸碳纳米管FED面板生产成本与液晶 1碳纳米管FED的优点 世界各国研究人员对碳纳米管(CNT有着极大的研究兴趣[1]。它的优良场发射性能 度以上)，CNT最适合做场发射阴极，解决了FED高成本问题。通常有两种方法制作场发 射阴极，CVD(化学气相沉积法)和印刷丝网法。低温CVD法对CNT的可控生长技术己成熟 [2]；简单低成本的丝网印刷法易于大批量生产阴极，尤其适合大尺寸显示。大面积场致发 射显示器的关键技术是冷阴极材料。FED显示技术的前沿研究者也正是看好碳纳米的优良 发射性能。 碳纳米管属冷阴极，它基于隧道效应在外加电场作用下发射电子，不象CRT那样的体 积和大量电磁辐射量：在屏隅角处无畸变无闪烁，可做到商分分辨率显示。FED比PDP与 CRT功耗更低， V 以下(3]。 2 C-FED国外发展状况【4，5，6】 碳纳米管具有诸多优点从而给FED带来新的生命力，各国大公司均对C-FED发起猛烈 进攻。Motorola并己成功开发碳纳米管FED面板，除已发表研制的15英寸样品外，现还 在加紧试制30英寸产品。Motorola拥有碳纳米管FED制造专利160项，他们计划向日本 及韩国LCD及PDP制造商提供专利授权。据该转专利讲阴极能以不足35V的电压引出电 子，驱动成本会比PDP更低。该公司声称用该技术生产的HDTVFED面板，可将成本控制在 100美元左右。生产30英寸FED面板的成本，与液晶相比节约30％成本。 上，日本伊势公司的40”碳纳米管场FED。他们均采用基于丝网印刷技术，瞄准低成本制 术，希望在美国及亚洲建立C-FED平板制造。日本政府已宣布斥巨资资助大公司开发碳纳 米管显示，Sony公司也在开发自己的碳纳米管显示。美国cDRE心公司也已在2003年SID 会议上报告了单色53”FED面板。 在SID’2002，日本NoR[TAKE 色亮度为400ed／M2，其峰值电流为7-8IIlA。 3 C-FED结构简单 100 4工艺简单的C-FED具体开发路线 在玻璃基底上用丝网印刷工艺形成电 极图案(阴极图案) 形成限流电阻 涂敷绝缘材料层，在其上形成栅极 碳纳米管 吾善酉 CVD法或丝网印刷法形成碳纳米管发射体 lOI 5 cIFED整机生产流程 平板钙纳玻璃 ITO玻璃板 FED参数设计 Jr 』 上 清洁处理 红绿蓝三色荧光粉印刷 驱动及扫描方案确定 上 』 土 印刷阴极电极 黑底印