磁控溅射和热还原退火法制备VO薄膜及其性能-本原扫描探针.PDFVIP

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磁控溅射和热还原退火法制备VO薄膜及其性能-本原扫描探针

第 卷第 期 合肥工业大学学报 (自然科学版) 37 1 Vol.37No.1     JOURNALOF HEFEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY 年 月           2014 1 Jan.2014     : / Doi 10.3969 .issn.1003 5060.2014.01.008 j - 磁控溅射和热还原退火法制备VO 薄膜及其性能 2 , , , 张元元 李合琴 胡仁杰 李 辉         ( , ) 合肥工业大学材料科学与工程学院 安徽合肥 230009   : , 摘 要 文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备 VO 薄膜 研究了退火温度与时间对该薄膜相变和   2 。 ( )、 ( )、 、 、 性能的影响 采用原子力显微镜 AFM X射线衍射仪 XRD 红外光谱仪 LCR精密电桥对薄膜的形貌 结 、 。 , , 构组分 光学性能和变温电阻进行了测试与分析 实验结果表明 溅射法制备的 VO 薄膜主要为 V O 相 2 2 5 / , , 。 经过 氢气热还原退火后 薄膜逐步转变为 相 电阻突变可达到 个数量级 500 ℃ 120min VO 2 2 : ; ; ; ; 关键词 氧化钒薄膜 磁控溅射 热还原退火法 电阻温度系数 相变 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) O484 A 10035060201401003404         - - -

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