纳米薄膜制备方法概述.PDFVIP

纳米薄膜制备方法概述 纳米薄膜可分为：单分子膜；由纳米粒子组 成（或堆砌而成）的薄膜；纳米粒子间有较多 空隙或无序原子或另一种材料的薄膜等。  LB技术  自组装技术  物理气相沉积  MBE技术  化学气相沉积 …… 1 刘晓瑭 2009-12-17 Langmuir－Blodgett技术 2 刘晓瑭 2009-12-17 自组装技术 3 刘晓瑭 2009-12-17 物理气相沉积技术 物理气相沉积（PVD）方法作为一类常规的薄膜制备 手段被广泛的应用于纳米薄膜的制备，包括蒸镀、电子 束蒸镀、溅射等。 4 刘晓瑭 2009-12-17 化学气相沉积技术 化学气相沉积（CVD）方法目前被广泛的应 用于纳米薄膜材料的制备，主要用于制备半导 体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜。 CVD法可分为常压CVD； 低压CVD； 热CVD； 等离子CVD； 间隙CVD； 激光CVD； 超声CVD等等。 5 刘晓瑭 2009-12-17 溶胶－凝胶法 溶胶－凝胶法是从金属的有机或无机化合物的溶液 出发，在溶液中通过化合物的加水分解、聚合，把溶 液制成溶有金属氧化物微粒子的溶胶液，进一步发生 反应发生凝胶化，再把凝胶加热，可制成非晶体玻璃、 多晶体陶瓷等通过旋涂，可制成纳米薄膜。 6 刘晓瑭 2009-12-17 PVD、CVD、Sol—Gel方法比较 比较项目 PVD CVD Sol—gel 含有膜元素的化合物 含膜元素的无机盐， 物质源 生成膜物质蒸气 蒸气，反应气体 醇盐或羧酸等 提供激活能，高温， 激活方式 消耗散发热、电离等 加热处理 化学自有能 250 －2000℃(蒸发源) 制备温度 150—2000℃基片 300—800℃基片 25℃—合适温度(基片) 膜结构 单晶，多晶，非晶 单晶，多晶，非晶 多晶，非晶 膜致密性 致密 致密 较致密 膜附着性 较好 好 好 化学组成相 一般 较高 高 组成均匀性 成本 高 高 低 2009-12-17