14秋季学期微电子器件基础第五章习题解答.pptVIP

第五章 非平衡载流子（非平衡半导体） 1. 解： 2. 空穴在半导体内均匀产生，其产生率 解： 由空穴连续性方程， 由于杂质均匀分布、体内没有电场、非平衡载流子均匀产生，所以， 得到非平衡空穴所满足的方程， 达到稳定状态时的非平衡空穴浓度， 光照下，产生和复合达到稳定时， 3. 解： 半导体内光生非平衡空穴浓度， 光照下，半导体的电导率， 光照下，半导体电阻率， 光照下，电导中少数载流子（空穴）贡献的比例， 4. 解： 光照停止后的非平衡空穴浓度， 0 t 停止20微秒后， 5. 解： 无光照的电导率， 有光照的电导率， 光照下，半导体处于非平衡态，其偏离程度由电子准费米能级、空穴准费米能级描述。 小注入时，空穴准费米能级比平衡费米能级更靠近价带顶，但偏离小。电子准费米能级比平衡费米能级更靠近导带底，且偏离大。 6. 光照前 光照后 7. 没有光照时，半导体的平衡费米能级位置， 解： 光照小注入下，导带电子浓度， 小注入下，电子准费米能级位置， 小注入下，价带空穴浓度， 小注入下，空穴准费米能级， 8. 解：从题意知，P型半导体，小注入下，复合中心的电子产生率等于空穴捕获率， 电子产生率 空穴俘获率 对于一般的复合中心， 因为半导体本征费米能级， 对一般掺杂浓度的P型半导体，其平衡费米能级远在禁带中央能级以下。从上式中得出复合中心能级远在本征费米能级以上（离导带底很近，离本征费米能级很远），因而它不是有效复合中心。 所以， 9. 本征半导体，小注入， 证明： 非平衡载流子寿命， 10. 小注入时，N型半导体非平衡少子空穴的寿命主要由金复合中心决定， 在N型硅中，金的受主能级起作用，金负离子对空穴的俘获系数， 解：根据PP158给出数据， 在P型硅中，金的施主能级起作用，金正离子对电子的俘获系数， 小注入时，P型半导体非平衡少子电子的寿命主要由金复合中心决定， 11. 解：根据单一复合中心得到的间接复合的净复合率公式， （净复合） —— 净产生 在载流子完全耗尽的半导体区域， 在只有少数载流子被耗尽的半导体区域，如对于N型半导体， —— 净产生 在 的半导体区域， 12. 解：因为少子空穴的浓度， 所以， 达到稳态时，少子产生率， 13. 解：由爱因斯坦关系式，得到电子扩散系数， 电子扩散长度， 14. 解：由爱因斯坦关系式，得到空穴扩散系数， 空穴扩散浓度梯度， 空穴扩散电流密度， 15. 解：由电阻率查表PP124图4-15（b），得到半导体平衡多子浓度， 边界处电子扩散电流密度， 非平衡少子寿命， 平衡少子浓度 非平衡少子分布（半导体无限厚）， 16. 解：由电阻率查表，得平衡多子（电子）浓度和少子（空穴）迁移率， 平衡少子浓度， 从表面处向半导体内扩散的少子空穴扩散电流密度， 非平衡少子在半导体内的分布（半导体无限厚）， 半导体内非平衡空穴浓度等于 对应的位置， 17. 解： 稳态下，根据（5-162）空穴浓度分布， 得到在半导体表面处空穴浓度， 由于 ，查图4-15（b)，得到， 查图4-14 得到空穴迁移率 ，空穴扩散长度， 1、单位时间、单位表面积的表面复合空穴数， 得到单位时间、单位表面积在离表面三个扩散长度体积内复合的空穴数， 2、由下式， 得到， 18. 由氧化（温度1180℃） 后表面复合中心浓度 ，得到金复合中心在硅片中的均匀分布浓度， 解、 1、硅片内少子空穴的寿命， 由教材PP158第6行给出的数据， 得到， 硅片中总杂质浓度， 查表4-14，得到少子空穴的迁移率， 硅片表面复合速度， 得到少子空穴的扩散系数， 得到少子扩散长度， 得到， 2、由于， 得到， 由于， 2、根据表面复合速度的物理意义，得到流向表面的空穴流密度为，