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微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用一套 基本方程 来加以描述，这套基本方程是分析一切半导体器件的基本数学工具。 半导体器件基本方程是由 麦克斯韦方程组 结合 半导体的固体物理特性 推导出来的。这些方程都是三维的。 1.1 半导体器件基本方程的形式 第 1 章 半导体器件基本方程 对于数量场 对于矢量场 先来复习场论中的有关内容 所以泊松方程又可写成 （1-1b） 分析半导体器件的基本方程包含三组方程。 1. 泊松方程 （1-1a） 式中 为静电势，它与电场强度 之间有如下关系， 2. 输运方程 输运方程又称为电流密度方程。 （1-2） （1-3） 电子电流密度 Jn 和空穴电流密度 Jp 都是由漂移电流密度和扩散电流密度两部分所构成，即 3. 连续性方程 （1-4） （1-5） 式中，Un 和 Up 分别代表电子和空穴的净复合率。当 U 0 时表示净复合，当 U 0 时表示净产生。 所谓连续性是指载流子浓度在时空上的连续性，即：造成某体积内载流子增加的原因，一定是载流子对该体积有净流入和载流子在该体积内有净产生。 4. 方