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* 3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 P N+ N 0 xjc xje NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 第二章习题2-7: 试推导出杂质浓度为指数分布N = N0exp(-x/?)的中性区的内建电场表达式。 1. 室温下杂质全电离，即N(x) = p(x)； P 2. 由于空穴的浓度不均匀，空穴产生扩散运动，而电离杂质 固定不动； 3. 电荷在空间上分离，形成电场； 4. 在平衡条件下，电流为零。 在平衡条件下，空穴电流为零。 虽然内建电场是由于多子浓度分布与电离杂质浓度分布之间的差异造成的，但这种差异是极其微小的，在处理与浓度有关的问题时可以忽略这种差异，即 得 当 ? 0时，对少子是加速场； 当 0时，对少子是减速场。 NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 当上述的情况针对缓变基区晶体管NPN NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 对处于放大状态下的缓变基区晶体管NPN 为了便于分析，将基区的杂质浓度分