微电子器件原理-第8章-短沟道MOSFET.pptVIP

第八章 短沟道MOSFET 第八章 短沟道MOSFET 8.1 短沟道效应 8.2 速度饱和 8.3 沟道长度调制 8.4 源漏串联电阻 8.5 MOSFET击穿 8.6尺寸缩小原理 8.1 短沟道效应 8.1.1二维等电势线和电荷共享模型 8.1.2漏感应势垒降低（DIBL） 8.1.3二维Poisson’s方程 和侧向电场 8.1.4短沟阈值电压的解析表达式 短沟道效应定义 当沟道长度缩小时，MOSFET（指n MOSFET）的阈值电压减小。 测量的n MOSFET阈值电压与沟道长度的关系 测量p MOSFET的阈值电压与沟道长度的关系 8.1.1二维等电势线和电荷共享模型 模拟的等电位线-长沟MOSFET；Vd=3V 模拟的等电位线--短沟MOSFET；Vd=3V 模拟的长沟和短沟MOSFET的等电位线 长沟与短沟MOSFET等电位线不同的原因 长沟MOSFET器件源、漏之间的距离较远，源、漏耗尽层彼此分离，不影响栅下面的电场；但是，在短沟MOSFET源、漏之间的距离与耗尽层垂直方向的宽度可以相比拟，因此，对能带的弯曲有影响，对栅下面的电场也有影响。 电荷共享模型描述 长沟道时，栅下面的电荷： 短沟时，栅下面的电荷正比与梯形的面积： 8.1.2漏感应势垒降低（DIBL） 表面势与侧向距离的关系 三种情况栅电压相同 （a）长沟MOSFET； （b）低漏电压短