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PBLOCOS隔离技术的4if究
孙海锋刘新宇海潮和
中国科学院微电子中心 北京 100029
摘要
本文介绍了一种实用的隔离技术:PolysiliconBufferedLOCOS(PBLA4)离。’。常规的LOCOS
相比，PBL只是在氧化层(Si仇)和氮化I:{Si,N,)之rnib口了一缓冲层一一多品石t层。多品硅缓冲层的
引入，有效地减小了鸟嘴(BBL).多次实验优化了各层的I.艺参数 同时，对n`-p结、p-n结的漏
电以及栅氧质耸进行了测姑和分析。结果表明，由于PBL {_艺的简单性以及、，州计 卜在深吓微米
技术时代，PBL将会是最有效的I1a离技术。
关键词 PBL 结漏电 鸟嘴 3入奥抹未
一 介绍 _ 实马众
随着硅器件尺寸的不断缩小 ，常规 的 PBL }P:的 卜要流程如 卜 (1)900C热认
LOCOS技术已不再适用于深亚微米器件的隔 生成 15mn(I1今L化层:(2)625C, HIM )名
50nm,(3)800C,.IPCVD乞t(,化{ii 200nm:
离。在其他的一些lyv!离技术中，PBL(Polysilicon 4MkIT.,[
BufferedLOCOS)IN4离，由于其1艺的相对简单 (A)光刻场区;(5)RII?，刻蚀氮化GI:(6)RII?,刻
以及小的鸟嘴，目前受到了)‘泛的重视。与常 蚀多品硅: 卜面的氧化层没有刻蚀，士要基F
规的LOCOS技术相比，PBL只是在氧化层(Siq) 以 卜儿点}!的:c)避免干腐蚀过)i{，干员伤衬k
和氮化rs(Si,N4)之间加了一缓冲层一一多品硅 面;Oiif以11:为场注入的掩敝层;③山J这 -
层，使之吸收氮化层的应力，从而有效地减小 层不影响 卜面的场氧化，避免了不必要的 I_序
鸟嘴。其基本的结构如图一所示。 (7)场区`C化 (fl)iIt汀;1M钊t喊化层;(9)1tIf;，刻蚀
多、{占磷;(19)li},蚀年t化层。核个流程中，关键在
刻蚀 前 丁有源区上掩避层的刹离.在利离认以日.后，发
NITRIDE 现多uufit土出现坑(Pit)以及:f9离,1tiiifi1-后在场
氧与有源区的边缘附近存在残余物(图 力，这些
Poly-Si 缺陷将直接影响到F面的Si层，最终导致器们
州能的恶化，这种现像:]以山kooicIIct川
一、、PadOkid 来解释 小过，在!L长棚Y}IIUI}I先牛长 一层牺
牲氧化层，然后腐钟掉，这样将会使缺Iv1大大减
亥」蚀后
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图一 PBL墓本结构 图 _ 钊离之!{广“}_)i白泊几的残余物
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三 结果与讨论
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