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父、622207
摘 要
HgCdTe薄膜材料是红外焦平面探测器的理想材料,退火处理是材料研制过
程中一个非常重要的环节。退火处理有开管和闭管两种方式,开管退火是一种更
先进的退火方式。
本文研制了一套开管退火系统。系统的镀金双温区炉具有石棉炉所不具备的
恒温区优势和升降温速率优势,利用镀金双温区炉对材料进行退火处理,大大提
高了退火处理的重复性 ‘
采用开管的方式对LPEMCT薄膜材进行了成功的退火处理,退火后材料分
别得到N型材料载流子浓度:5-7)11013Cm3,迁移率大于10000cm2vs3;P型材
料载流子浓度:“、。,一‘、,106cm-,,迁移率}3D0cm}v1s·te
研究了开管退火过程对材料组分((Xcd)的影响,发现恰当的退火能同时保证材
料的组分不发生改变和控制材料电学参数两个目的。
采用 “循环退火”对材料进行退火处理,改善材料的结构性能并用x-ray双
晶回摆曲线对材料的FWHM进行研究。结果表明,循环退火能有效改善材料的
结构性能,减小材料的FWHM.
对退火前后材料的EPD进行研究,发现退火处理能降低材料的EPD密度。
关键词 HgCdTe(磅福汞) 开管退火 电学参数 EPD FWHM
红外透过率
朱经作者、
如全文公市
ABSTRACT
HgCdTelayerisagoodmaterialforhighperformanceInrfa-RedFocalPlane
Array(IRFPA)detectordevices.TheannealingofHgCdTeisaimportantstepduring
preparingaHgCdTematerial.Theannealingmethodsincludeclose-tubeand
open-tubemethodandopen-tubemethodisthegoodone.
Aopen-tubeannealingsystemhasbeensetup.Thetwo-zonegolden-furnaceof
thissystemhasbettertemperaturezonethanrtaditionalasbestosfurnaceandcanbe
heateduporcooleddownfaster.
LPEMCTlayershavebeenannealedsuccessfullywithopen-tubesystem.TheN
typematerialafterannealinghaveconcenrtation5-7X103cm3andmobility
13760cm2.vI.s-;P type materialafter annealing have concentration
6.97.10’一1XI0“二一,andmobility-300。时,、一,一s‘
TheeffectofannealingprocedureonXodwasstudied.Itcanbeenseenthata
properannealingprocedurecanprovidetheshiftofX,dandcontroltheelecrtonic
propertiesatthesametime.
`Cycle-annealtechnologyhasbeenusedtoimprovematerialsstructure
performance.Structureperformancehasbeenstudied勿X-rayrockingcurve.Itcan
beseenthat`Cycle-annealcanlowerFWHM.
BPI)o#LPElayershasbeenstudiedbothbeforeannealingandafterannealing,it
canbefindthatannealingcandecreasethelayersEPD.
Key-word:HgCdTe. open-tub
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