THEMOS器件可靠性寿命综合模拟软件研究.pdfVIP

TH-E:MOS器件可靠性寿命综合模拟软件’ 罗宏伟 孔学东 钟征宇 谭超元 (电子部五所 广州市1501信箱 510610) 摘要:本文描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型 MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件模块，而且还包 括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效机理的综合模拟模块。 引 言 随着墓于CMOs工艺的现代VLSI电路的迅速发展，MOs晶体管尺寸已经缩小到亚微米， 许多以前可以忽略的短沟道和薄氧化层效应变得越来越重要。研究各种失效机理的物理和 数学模型，建立可靠性模拟程序，通过计算机模拟，在设计阶段就评价电路可靠性的需求 也变得越来越迫切。目前国外已经在这方面开展了大tI的工作，对电迁移 (EM)、热载流 子 (HC)效应、与时间有关的氧化层击穿 (TDDB),PN结退化等单一失效机理的研究已经 比较透彻，并建立了各种相关的可靠性模拟软件，如BERT,RELY,RELIANT,HOTRON,CREST, RELIC等，这些软件基本上都是针对单一失效机理的，没有考虑各单一失效机理的相互影 响或综合效应。但对于用户来说，他们需要知道的往往是电路的可靠性等级，是产品的整 体可靠性水平.提出的指标要求也是产品的整体寿命。因此，不仅仅要考虑各个单一失效 机理下产品的可靠性寿命，同时更应该考虑各个单一失效机理对产品寿命的综合影响，也 就是说在研究产品可靠性的过程中必须考虑各失效机理的相互关系及其相互作用，通过对 多个失效机理的综合获得对产品可靠性水平的评价，我们开发的TH-E软件就可以达到这 个 目的。 可靠性模拟 目前，影响VLSI电路可靠性的主要失效机理是TDDB,HC与EM.其中与时间有关 的介质击穿寿命与热载流子寿命都与氧化层厚度有直接的联系，氧化层厚度的变化将同时 影响这两种失效机理，可考虑将这两个失效机理统一起来研究。通过氧化层厚度这一工艺 参数，我们可以把HC寿命与TDDB寿命有机地联系起来，从而得到一个综合考虑HC与 TDDB失效机理的统一模型川。而对于电迁移，我们采用了串联模型，将其与HC和TDDB 的综合模型联系起来。这样，我们建立了能够单独计算热载流子寿命、TDDB寿命和电迁 移寿命的模拟程序，同时程序还能预计同时考虑热截流子失效机理与TDDB失效机理的 ，重点实脸室墓金资助 .141 MOS器件的综合寿命以及在综合考虑热载流子失效机理、TDDB失效机理、电迁移失效机 理的情况下MOS器件的综合寿命， 程序的流程图见图1。 在程序中。首先我们假设工艺参数在设计值的一定偏差内符合正态分布，其偏差可由 试脸确定:模型的参数可以通过设计符合要求的评估电路，然后进行有针对性的可靠性参 数提取实捡来得到，通常，热载流子效应的模型参数是通过电荷泵方法提取的冈.TDDB 效应的模型参数采用斜坡电压尹斜坡电流或恒定电压1电流法可以获得p..而电迁移效应的模 型参数是通过对5节几洲n.结构做加速实验得到.11。这样我们就可以分别计算热载流子、TDOB 和电迁移失效机理以及在他们共同起作用时器件寿命的分布，通过这些分布，就可以算出 中位寿命。目前，我们的程序已能够计算寿命的分布，对寿命分布的数据处理.将在下一 步工作中解决。 结果和讨论 为脸证砚们的模型和程序，我们模拟了不同栅压下PMO[5器件的rODB寿命与拐积 失效率的关系。试脸样品为PMO‘器件，据氧化层厚度几=200埃，w几=50徽米八.2徽 米，橱压分别为21伏、22伏和23伏，我们用DESTIN可靠性实脸设备箱、用值定电压法 抽取得到的TDDB模型参数为。月4.:10.，、=3.lxol拐.棋拟结果见图么实脸结果见图 3。从图中我们可以看到，模拟结果与实脸结果吻合得较好，对不同的电压曲线都具有相 同的分布，并且模拟值与实脸值都处在相同的数t级范围之内(实脸曲线下部发生奄曲， 我们认为是一些早期失效点所致). 图2 不同姗压下模拟得到的DTDB 图3 实验得到的不同姗压下1，DDB 寿命与里积失效率F的关系