TiAlp型4HSiC欧姆接触模型的研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 T iC欧姆接触模型的研究木 i／A1／p型4H—S 张健张义门张玉明郭辉 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安电子科技大学微电子学院，西安，710071 摘要：本文通过使用器件模拟软件ISETCAD，对Ti／A1基金属在p型4H—SiC上形成欧 姆接触的机理进行了研究，同时对传输线模型(TLM)进行了二维I-V特性模拟，得到了 影响欧姆接触比接触电阻的关键因素。 关键词：SiC欧姆接触传输线 The of 4H—SiCOhmiCContactS StudyTi／A1／p—Type Jian Yi．．men GuoHui Zhang Zhang ZhangYu．．ming Labof ofEducationforWide SemiconductorMaterialandDevices Key Ministry Band—gap MicroelectronicsSchool，XIDIAN University,Xi’an，710071，China Abstract：Themechanismof ohmiccontactshasbeenstudiedwiththe 4H—SiC 1’i，A1／p—type devicesimulatorISETCAD．Andthemainfactorstoinfluencethe contactresistanceof specific ohmiccontacthavebeenfoundbvsimulationresultsoftheI—Vcharacteristicsofthetwo dimensionaltransmissionline model(TLM)． carbide words：SiliconOhmiccontactTransmissionlinemethods Key 一．引言 SiC半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、 GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙(1]l『BS)半导体材料。SiC材料由于具有宽带隙、 高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等特点，因而具有十分诱人的优势，得 到了广泛的应用u1，在射频功率器件，大功率器件，光电器件等方面已经取得重大进展。 SiC材料在高温、大功率和高频半导体器件领域应用的关键工艺技术之一就是制备高 稳定性和性能良好的欧姆接触。欧姆接触质量的好坏、接触电阻的大小将直接影响器件的 效率、增益和开关速度等性能指标。和Si、GaAs、GaN等材料相比，其欧姆接触的获得难 度更大，特别是P型SiC的欧姆接触。由于在SiC材料中P型杂质的离化能比n型杂质的 离化能高，掺杂浓度又难于做到n型SiC的掺杂水平心’3I，所以研究欧姆接触问题对于发展 这种新型半导体器件具有十分重要的意义。从理论上研究欧姆接触形成的机理，为指导良 好的欧姆接触制作工艺，将会起到重要作用。 ’ 欧姆接触的形成机理有两种：势垒模型和隧道模型。其中，势垒模型是指金属与半导 体之间将形成反阻挡层，其I-V特性是线性关系的。隧道模型是指金属与半导体之间形成 阻挡载流子从半导体进入金属的势垒。当半导体是重掺杂时，势垒区将减薄，载流子通过 隧道效应穿过势垒区进入金属，其I-v特性也是线性关系。在宽带隙半导体上制造欧姆接 触是比较困难的，因为很难找到具有合适功函数的金属以得到低势垒。目前，SiC材料与 金属形成的欧姆接触都将形成阻挡载流子进入的势垒，尚未见到SiC材料与金属接触形成 反阻挡层的报道