单层二氧化铪_HfO_2_薄膜的特性研究.doc

 光电工程 Opto-Electronic Engineering 第 39 卷第 2 期 2012 年 2 月 Vol.39, No.2 Feb, 2012 文章编号：1003-501X(2012)02-0134-07 单层二氧化铪(HfO2)薄膜的特性研究 艾万君 1, 2，熊胜明 1 ( 1. 中国科学院光电技术研究所，成都 610209； 2. 中国科学院研究生院，北京 100049 ) 摘要：利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层 HfO2 薄膜，对薄膜样品的 晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明，薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。 电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构，而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的 薄膜折射率较低，薄膜比较疏松，表面粗糙度较小，吸收相对较小，而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄 膜折射率较高，薄膜的结构比较致密，但表面粗糙度较大，吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙 范围为 5.30～5.43 eV，对应的吸收边的范围为 228.4～234.0 nm。 关键词：电子束蒸发；离子束辅助沉积；离子束反应溅射；HfO2 薄膜；薄膜特性 中图分类号：O484.4 文献标志码：A doi：10.3969/j.issn.1003-501X.2012.02.025 Characteristics of Single Layer HfO2 Thin Films AI Wan-jun1, 2，XIONG Sheng-ming1 ( 1. Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu 610209, China; 2. Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China ) Abstract: Single layer HfO2 thin films have been prepared respectively by Electron Beam Evaporation (EBD), Ion Assisted Deposition (IAD) and Ion Beam Reactive Sputtering (IBRS). Crystal structures, optical properties, surface topography and absorption of these deposited films have been studied. It is found that thin film properties have a close relationship with deposition technologies. The EBD and IBRS films are largely amorphous, whereas the IAD films are polycrystalline. Comparison with EBD films, the IAD and IBRS films, of which the structures are very compact, display higher refractive index, surface roughness and absorption. The optical band gap energy of these films are found to be 5.30～5.43 eV, and the corresponding optical absorption edge range are found to be from 228.4 nm to 234.0 nm. Key words: electron beam evaporation; ion assisted deposition; ion beam reactive sputtering; HfO2 thin films; thin film properties 0 引 言 光学薄膜是许多现代光学元件和光学系统中不可缺少的组成部分，其质量的好坏直接影响光学薄膜元 件及光学系统的性能[1]。在光学薄膜材料中，二氧化铪(HfO2)是应用于激光系统光学器件中最常用的高折 射率薄膜材料之一，具有紫外(UV)到红外(IR)较宽的透明区域(0.22～12 μm)，同时还具有很好的热稳定性、 化学稳定性、较好的光学与机械特性和较高的抗激光损伤阈值，因此常用于抗激光损伤