6传感器技术及其应用.ppt

第6章 压电传感器 6.1 晶体的压电效应 6.2 压电加速度传感器 6.3 压电谐振式传感器 6.4 声表面波传感器 6.1 晶体的压电效应 6.1.1 晶体压电效应的说明 当某些晶体沿一定方向伸长或压缩时,在其表面上会产生电荷(束缚电荷),这种效应称为压电效应。晶体的这一性质称为压电性。具有压电效应的晶体称为压电晶体。压电效应是可逆的,即晶体在外电场的作用下要发生形变,这种效应称为反向压电效应。晶体的压电效应可用图6.1来加以说明。图6.1(a)是说明晶体具有压电效应的示意图。一些晶体当不受外力作用时,晶体的正负电荷中心相重合,单位体积中的电矩(即极化强度)等于零,晶体对外不呈现极性,而在外力作用下晶体形变时,正负电荷的中心发生分离,这时单位体积的电矩不再等于零,晶体表现出极性。图6.1(b)中,另外一些晶体由于具有中心对称的结构,无论外力如何作用,晶体正负电荷的中心总是重合在一起,因此这些晶体不会出现压电效应。 6.1.2 压电方程 晶体的压电效应是一种力电耦合效应。它是由力学量应力T和应变S与电学量电场强度E和电位移D之间互相耦合产生的。对于具有压电效应的晶体,不仅电学量E和D以及力学量T和S存在着直接的关系,同时还存在力学量和电学量之间的耦合效应。压电方程就是描写力学量间、电学量间以及力学量和电学量相互之间互相联系的关系式。实际上力学量和电学量之间的关系式还和热学量(温度和熵)有关。但对于较快的变化,例如声频或更高的频率,可认为是等熵(绝热)过程。下面的压电方程假定均适合绝热情况。对于等温情况需另加说明。 在电场强度、电位移和应力、应变这四组变量中,可以任选一组力学量和一组电学量作自变量,这就有四种情况,有四组压电方程。 (1)选取应变分量Sk和电位移分量Dj为独立变量,得到h型压电方程 式中,cDhk是电位移不变(恒电位移)时的弹性常数或开路弹性常数;βSij是应变不变(恒应变)时的介质隔离率(也称倒介电常数)或受夹介质隔离率;hjh、hik称为压电刚度常数,简称压电常数。 (2)选取电场强度分量Ej和应力分量Tk为独立变量,得到d型压电方程 式中,sEhk是恒电场下的柔性常数,也称短路柔性常数;εTij是恒应力下的介电常数,也称自由介电常数;djh、dik称为压电应变常数,简称压电常数。 (3)选取应力分量Tk与电位移Dj为独立变量,得到g型压电方程 (4)选取应变分量Sk与电场强度分量Ej为独立变量,得到e型压电方程 6.1.3 压电材料 石英晶体是最早应用的压电材料,至今石英仍是最重要的也是用量最大的振荡器、谐振器和窄带滤波器等元件的压电材料。随着压电传感器的大量应用,在石英之后研制出了许多人造晶体,如ADP、KDP、EDT、DKT和LH等压电单晶体。但由于它们的性能存在某些缺陷,后来随着人造压电石英的大量生产和压电陶瓷性能的提高,这些人造单晶体已逐渐被取代了。现今压电传感器的材料大多用压电陶瓷。压电陶瓷的压电机理与单晶不同,是利用多晶压电陶瓷的电致伸缩效应。极化后的压电陶瓷可以当作压电晶体来处理。当前常用的压电陶瓷是锆钛酸铅(PZT)。另外,铌酸锂和钽酸锂大量用作声表面波(SAW)器件。此外,氧化锌和氮化铝等压电薄膜已是当今微波器件的关键材料。 压电单晶和压电陶瓷都是脆性材料。而以聚偏二氟乙烯(PVDF)为代表的压电高聚物薄膜,压电性强,柔性好,特别是声阻抗与水和生物组织接近,是制作传感器的良好材料。用压电陶瓷和高聚物复合而成的压电复合材料也已在压电传感器领域中得到应用。 6.2 压电加速度传感器 6.2.1 压电加速度传感器的工作原理 1.原理 图6.2为压电加速度传感器的原理图。它由质量块、压电元件和支座组成。支座与待测物刚性地固定在一起。当待测物运动时,支座与待测物以同一加速度运动,压电元件受到质量块与加速度相反方向的惯性力的作用,在晶体的两个表面上产生交变电荷(电压)。 当振动频率远低于传感器的固有共振频率时,传感器的输出电荷(电压)与作用力成正比。电信号经前置放大器放大,即可由一般测量仪器测试出电荷(电压)大小,从而得知物体的加速度。 ? 2.灵敏度公式的推导 如图6.3所示,作用于压电元件两边的力为 式中,l为晶片厚度。平均力为 式中,A为晶片电极面面积。质量块一般采用质量大的金属如钨或其他金属制成,而晶片很薄