数字电子电路 第章.ppt

 选用童诗白、华成英 主编的《模拟电子技术基础》（第 三版），该教材是一本成熟的经典 教材，优秀教材。 （1）常用半导器件; 10学时 （2）基本放大电路; 10+2(习题)学时 （3）多级放大电路； 6学时 （4）集成运算放大电路； 4学时 （5）放大电路的频率响应；6学时 （6）放大电路中的反馈； 8+2(讨论)学时 （7）信号的运算和处理； 8+2(习题)学时 （8）波形的发生和信号的转换；6学时 （9）功率放大电路； 4学时 （10）直流电源。 4学时 学生初步具有一看、二算、三选、四干的能力。 （1）掌握基本概念、基本电路、基本分析方法； 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 　　由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和SiO2的表面电荷层 ——反型层之间形成可移动、N 型导电沟道。 UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 UGS，称开启电压。 (4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT) 　　导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 ②UDS= UGS – UT， UGD = UT 　　靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 ③UDS UGS – UT， UGD UT 　　由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。 ①UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 在UDS UGS – UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。 此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 2. 特性曲线与电流方程 (1) 转移特性 (2) 输出特性 UGS UT ，iD = 0； 　　UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UT 时) 三个区：可变电阻区 恒流区(或饱和区) 夹断区。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O (a) (b) iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　　UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　　UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； 　　UGS = UP , 感应电荷被“耗尽”，iD ? 0。 UP或UGS(off)称为夹断电压 1. 共射电流放大系数 整理可得： （1）共射直流电流放大系数 （2）共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 四、晶体管的电流放大系数 ICEO 是基极开路时，集-射间的电流。 称为穿透电流。 2. 共基极电流放大系数 之间关系 3. 与 ~ IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 uCE = 0V uBE /V iB=f(uBE)? UCE=const (2) 随着UCE值增大，曲线将右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一、输入特性曲线 uCE = 0V uCE ? 1V uBE /V (3)当UCE ? 1V时，能够到达集电结附近的电子几乎全部被集电极收集，再增加UCE，IB也不会明显地减少