ALD设备介绍-清华大学微纳加工平台.PDF

ALD设备介绍 清华大学微纳加工平台 苏静杰 主要内容 1 原理 2 可沉积材料 3 主要应用 4 设备 原理 ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。 最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn 以及非晶Al O 绝缘膜 2 3 的研制，这些材料是用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过 程和低的沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突 破。 但是到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主 要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降 低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低至几个纳米 数量级。 因此原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次沉积，沉积层 极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度慢的问题就不重 要了。 原理 ALD是通过将气相前驱体脉冲交替 地通入反应器并在沉积基体上化学 吸附并反应而形成沉积膜的一种方 法。 当前躯体达到沉积基体表面，它们 会在其表面化学吸附并发生表面反 应。在前驱体脉冲之间需要用惰性 气体对原子层沉积反应器进行清洗。 ALD优点： • 良好均匀性 • 保形性 • 精确控制膜厚及组分 • 与衬底形成良好的界面 原理 ALD氧化铝形成原理图 反应源：三甲基铝和水 产物：三氧化二铝和甲烷 原理 ALD 的温度窗口 《原子层沉积技术及其在半导体中的应用》 原理 三种薄膜制备方法比较 ALD 普通的CVD PVD 膜厚范围 20nm 20nm 20nm 均匀可控性 0.1nm 1nm 5nm 化学成分很均一 化学成分很均一 受外界限制 成膜质量 轻微空隙杂质 轻微空隙杂质 有较多空隙杂质 保形性 很好 较好 一般