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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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!#$ 单层和亚单层结构中的自旋动力学研究!
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孙 征 徐仲英 阮学忠 姬 扬 孙宝权 倪海桥
（中国科学院半导体研究所，超晶格国家重点实验室，北京 ###$% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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利用偏振时间分辨光谱和时间分辨 旋转谱，研究了 中的 单层和亚单层的电子自旋动力学 实验
)*++ ,-./ 01./ 2
发现，在非共振激发条件下，厚度为 单层的 亚单层中电子自旋弛豫寿命长达 ，而 个单层厚的
3% 01./ % 45 1/ 01./
层的电子自旋寿命只有# 45$ 1/；而在共振激发条件下，亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少，只有6#7/，单层
中电子自旋寿命没有显著变化 分析表明，低温下 单层和亚单层结构中， （ ）自旋弛豫机
01./ 2 01./ 89+:.+;1;:=9?/ 8.=
理占主导地位2 通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性，从而达到控制自旋弛豫的目的2
关键词： 亚单层，自旋弛豫， 机理
01./ 8.=
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%# 6$5@ 6$@@
层，文中标以 JK 01./，另一个样品的01./ 厚度为
4 引 言 3% 个单层，文中标以3% JK 01./，样品具体结构和
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生长方法可参考我们以前的工作 样品的荧光光
2
半导体自旋特性的研究无论对基础物理的研 谱表明，单层和亚单层样品低温发光峰能量分别是
［］ ［］
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