InGaAsInAlAs多量子阱单环谐振腔光滤波器性能分析.PDF

光电导·澈辨 第15卷增刊2004年5月 Journal ofOptoelectronics·Laser lnGaAs／InAIAs多量子阱单环谐振腔光滤波器性能分析 徐国明，蔡 纯，肖金标，张明德，孙小菡 (东南大学亳子工程系光子掌与怒通信磁究室南京210096) 摘要：提出了…种基于InGaAs／InAIAs多量子阱结构的举环谐振腔光滤波器。应用时域有限差分 (FDTD) ，对王侔波长绞为1．3≯m，嚣环半径在9弘m黉13弘m的二缭擎舔光谱蔽菠滤波嚣实瑷了数 值模拟。重点分析了谈滤波器的光谱响应、主瓣结构和半商全宽(FWHM)、插入损耗、消光比等参数， 对器件进行了优化设计。 荚键蠲：InGaAs／InAIAs；多量子辫(MQW)；谗摄整；平露光波滤渡器iFDTD 1 弓l 富 2材料结构 近年来，谐振腔光滤波器凭借其出色的性能和简 所用的材料波导结构示意图如图1所示，与参考 单的结构越来越受到人们的煎视[11]。由于具有强文献[1妇的结构类似。采用n+一GaAs基片，外延层为 波长选择幢、低频道阀串撬、低插入损耗等特点，它可 用于各类现代光子系统中，单独进行多波长信道光信 Ga…?As／Ino．36Al。6lAs构成，垒In(】．36Alo64As厚度 号处理。一些基于Si一[5]、Ta20。／SiOz?的谐振腔光为10nm，阱Inf)38Ga062As厚度为9．5nm，在1．3 滤渡器已骈翻塞来，具有较好的幢畿。半导钵割造波 ／xm晌工作波长下，具有菲常好的爨子限镧Stark效 和光波导各类制作技术(包括普通平面脊波导、2维 光子晶体)的迅速发展使得光子集成光路(PIC)和微 分为三层，每滕的组分比之分别为15％、28％、36％， 光子系统(()ⅪEM)芯片的实瑗成为可麓口j。基予 每滋的厚瘦都是0。24弘m。据文献[1妇摄遂，这静结 IlI—V族化合物的半导体MQW具有良好的光电特构对于光的偏振态不敏感。 性，是制作半导体激光器、高速光调制器／开关的基本 结擒坤。，慧来来PIC的傀选褥料之一。然丽，欲研镧 事一壬粕赫k硼^置包薏 ，∥一--～ 出基于III—V族半导体材料MQw高密集PIC，首先 ／导渡撰 ，，iI山-钿。肌，As被i毒、一 必须获得紧凑型高性能平面光波光路(PLC)单元器 I i—IK”诋。鼬，lB。41．．．^s峨 件，如滤波器，耦合器，直、锐惫转弯光路，模斑转换器 ＼耄-l瓠-轴；。骚。缸繁导舻’ 等。据我们调查所知，至今为止，尚未见关于III～V n+阶跃分展的In。^l，一．^s蠼冲层 族化合物半导体MQW光滤波器的报道。 矿GaAs．}重毫 本文提出了一种基予InGaAs／InAlAsMQW结 构的单环谐振腔光滤波器。由于MQW对光的强限 圈1 材料与脊波导结构涿意图 制作用，器佟尺寸比双异质结的小，且损耗低。文中 采角时域有限差分(FDTD)法￡9。叫对既器件中光传输 考虑到豳肉{ll—V簇纯合锈半导俸器{譬麓作工 进行了数值模拟分析，讨论了器件的性能参数，如光 艺线的现况以及实验研制成本，我们选择GaAs衬