自旋轨道耦合体系中的守恒流研究.pdfVIP

目 录 目 录 摘要………………………………………………………………．． 1 2 Abstract．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 第一章引言………………………………………………………．． 3 1．1自旋一轨道耦合效应简介……………………………，．．………．． 3 4 1．2 Kane模型……………………………………………………．． 1．2．1一般的对称性考虑…………………………………………4 1．2．2乃点群的哈密顿量形式……………………………………．．6 1．3由反演破坏导致的自旋劈裂……………………………………．12 1．3．1体材料空间反演非对称性(BIA)引起的自旋一轨道耦合效应 及Dresselhaus项……………………………………………12 1．3．2外部结构空间反演非对称性(SIA)引起的自旋一轨道耦合效Ji谚 及Rashba项………………………………………………．．13 第二章自旋轨道耦合系统中的守恒流…………………………………15 5 2．1引一言……………………………………．……………………1 2．2复杂体系中的粒子流……………………………………………16 2．3Noether定J理及附力¨项的产牛……………………………………．22 第三章自旋一轨道耦合体系中电流附加项及整数量子霍尔电导…………．．28 3．1引言…………………一……………………………………．．28 3．2二维k一立方依赖的Rashba模型的粒子流密度………………………29 3．3量子霍尔电导…………………………………………………．33 第四章附录………………………………………………………．．38 4．2附录B：扇=矽体系巾粒子流附力¨项的计算……………………．42 4．3附录C：由推广的Noether定理得到七一立方Rashba体系中的粒j予流附 力I|项的推导……………………………………………………44 一III— 目 录 结论………………………………………………………………．．47 参考文献……………………………………………………………48 致谢………………………………………………………………．．51 硕士期间完成论文目录………………………………………………．52 一IV— 摘要 半导体体系中的自旋一轨道耦合效应，特别是其相关的新奇输运特性的研究 近年来成为凝聚态物理中的前沿学科领域之一。而我们知道，电倚或自旋流是 以其为载体的输运性质研究的基石。本文丰要解析研究了一些典型的半导体自 旋一轨道耦合体系的粒子流公式，并在考虑新的电流附力iI项后，严格解释了实验 中二维k．三次方Rashba体系的整数量子霍尔效应。 第一章在概述自旋．轨道耦合产生机制的基础上，简单介绍了半导体体系自 旋一轨道耦合的主要模型。 ． 系中守恒流的表达式。并通过对Noether定理的推广，一般地t寸论了附：{】【I项出现 的原因是哈密顿量对动量的立方依赖项，并验证了由连续性方程得到的结果。 结果发现，一些文献中广泛使用的流的表达式对于一部分自旋一轨道系统是／fi完 整的。在Dresselhaus系统中的粒子流除了传统的表达式外，还必须有附加项， 但在Rashba或Luttinger系统中的粒子流表达式不需要附力ll项。 第三章基于第二章中提供的方法，考察了二维