P型掺杂PbTe晶体的生长及热电性质研究.pdfVIP

P型掺杂PbTe晶体的生长及热电性质研究争★ 李锡华，许瑞样，王明华 浙江大学信电系，杭州310027 新明正弘 日本国三重大学教育学部，日本国三重县津市 摘要:本文介绍了利用区熔法生长P型PbTe晶体 掺〔Ag或Na)，对生长样品的热电特性进行了测盘 并结合实际数据进行了分析.实验表明，掺Na的PbTe在较高温度 (约BOOK)时，其Seebeck系数最大， 为270NV/K，而10Ag样品在室温左右的Seebeck系数最大，约为ZBOUV/K. 一、引言 随着世界能源供应的日见紧张，各国政府都在致力于新能源的开发。PbTe晶体正是这 样一种应用于发电的热电材料，比如宇宙飞船上的RTG发电机或工作在热端为800K左右 的工业余热发电机((1l虽然对PbTe的研究始于六十年代，但其在热电变换方面的应用一直 没有取得明显的进展，近年来，曾经有人用粉末压结法生产这种晶体，但结果不太理想， 因为这种生长方法存在着氧化，掺杂剂升华，以及掺杂剂富集于晶界处，机械强度不足等 缺点Pl。考虑到这些缺点，我们选择了区熔法生长PbTe,N型PbTe材料 (掺Sb或I)的 研究表明其适合于工作在较高的温度范围(800K)2(l，但一个完整的热电器件是由P型和 N型材料组成的，有必要对P型PbTe材料的生长及特性进行研究，以找出和N型匹配时 的最佳掺杂及浓度。本文将介绍用区熔法制备P型PbTe，并对掺杂、晶体生氏条件对材料 特性的影响进行了研究。实验表明掺杂剂在生长方向上的分布是比较均匀。掺NaI%样品 的Seebeck系数随着温度的增高而变大，在500℃时达到最大值，为270pV/K。两种不同 掺银浓度的样品在室温时的Seebeck系数都比较大，并在较大温度范围内数值变化不大，在 高温端 (250℃)开始下降。 二、样品制备 我们先用Ag(银)作掺杂剂制备PbTe晶体，具体制备过程如下:首先纯化原料Pb 虽然我们购买的原料Pb的纯度为五个九(即99.999%)，可以满足实验的要求，但铅一旦拆 封，暴露于空气中，就会产生氧化，所以必需对Pb进行除氧。我们采用了熔融状态下用高 纯度M2还原的方法除氧。还原好Pb后，接着按Pb的量和掺杂浓度计算井称量好Te和Ag， 在高真空下封入前面还原Pb用的石英管中、在1100C炉中熔融12小时以上急冷得到掺 Ag的PbTe多晶。再把此多晶在高真空下封入}I2mm的石英玻璃管，进行区熔生长单晶。 生长过程的参数如下:熔区长度2cm，熔区最高温度1050℃ 熔区移动速度为6mmlhr。 我们分别制备了含Ag量为[%和。.5%(原子百分数)的PbTe晶体样品，供测试使用。 掺钠晶体的制备较为复杂，主要障碍是钠的纯化。由于钠在空气中极易氧化，我们采 取了真空蒸馏的办法实现对钠的提纯。在高真空的环境下，Na经加热蒸发 通过气路在相 邻的冷凝管中冷凝。掺钠样品的晶体的生长过程和掺Ag的一致。我们制备了含Na量为}% 中日政府间国际科技合作项目 本项目为浙江省科委资助项目 的IMc品沐样品，供测试使用 三、测试结果与讨论 对掺钠I%样品的Seebeck系数测量结果见图一。从图中我们可以看到，样品的Seebeck 系数随着温度的升高而变大.在500℃左右达到最大值270gV/K，然后开始缓慢降低.根 据半导体物理学，P型半导体的温差电动势率(Seebeck系数)‘的理论计算值为队 EF-E,_ 、。JD 、、_.__ __、__，_._ _、.。._，_， 其中kn是波耳兹曼常数，Cn二K.T 一川N·这祝明，随温BtB9分I%,贫术H-r,fKivvt 带能极之间的差值和温度的比先是慢慢变大，达到500℃以后又逐渐缩小。我们将Seebeck 系数的测量结果和其它一些常见材料的数据l41(见表2)做一比较，可以看出，掺钠的PbTe 晶体在高温时的最大Seebeck系数是相当高的，比表2中的所有材料的Seebeck系数都高。 掺钠样品的霍尔测试结果见表I。 两种掺杂浓度的掺银样品的Seebeck测量结果如图二、图三所示。从测量结果中可以 看出，掺银样品的Se比eck系数在室温时较大，并在室温以上较大温度范围变化不大，这种 特性很