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2018-01-02 发布于广东
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InGaAl超高亮度LED的发展.pdf

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__— 堑迹途通LEDf业研讨会与学术会议论文集 | 一 InGaAl超高亮度LED的发展张万生梁春广电子工业部第卜三研究所邮编050051 1.引言发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，AIGaAs双异质结LED 是最早制成的红色(660nm)超高亮度发光器件，然而在更短的波长下，发光效率却很低，因为此时GaAlAs的发光机理己变为间接跃迁型。虽然GaP和GaAsPLED的波长范 1 ，围在橙色和绿色之间，但它们的光辐射属间接跃迁型，很难实现高效率发光，采用 AIGaInP发光材料则可制成红色、橙色、黄色、绿色超高亮度LED.1990年口本东芝公 w e e e 司和美国HP公司先后研制成InGaAIP(620nm)橙色超高亮度LED,1992年它们又使 l . . InGaAIP(590nm)黄色超高亮度LED实用化。同年，东芝公司研制成InGaAIP(573nm)黄绿色超高亮度LED。现己用于室外信息显示和信号指示，从而拓展了可见光LED的应用领 w e e e l 域。 w e ‘ 近几年超高亮度AlGalnPLED的研制发展于分迅速，达到了常规材料GaAlAs, GaAsP,GaP不可能达到的性能水平。AIGaJnPLED的发展方向可归纳为以下方面: 1 (1)提高性能水平，不断改进结构和工艺。口 (2)解决新型超高亮度AIGalnPLED产业化的生产技术问题。 (3)提高性能价格比，不断降低成本。为了提高性能水平，InGaAlP超高亮度LED趋于结构复杂化、关键工艺趋于多样化。 InGaAlP四元合金作为发光材料具有以下