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BN薄膜的高温诱导取向生长 ‘ 王 玫，张德学，黄安平，王如志，李健超，王 波，严 辉 (北京工业大学材料学院新型功能材料教育部!点实脸室.北京 100022) 摘 要:本文利用感应栩合式等离子体化学气相沉积 具有的一系列优异物理化学性质in。比如宽的带陈 (PECVDA si(IOOW底上制备BN薄旗.反91气林为 (5.2eV),高电子迁移率、介电常数小、导热性能好 翎沈ByHJ和氮气(N2),拉制一定的分压比和工作气 等:因而在许多领城具有广阔的应用前录.比如可 13.射奴功率为100w,村底a度在500℃到10000 用作扰辐射、高预、大功率、高密度集成的电子签 之间变化.主要研究了沮度对BN薄膜取肉生长的 件等，是微波、光通讯等领城理想的电子鉴件材料。 影响.利用傅立叶史抉红外讲(盯讯)和原子力显崔 更为重要的是取向h-BN具有压电效团,.同时，近 镜(AFM)付制备样品进行了表征，并对高沮诱导BN 来的研究发现 h-BN薄膜具有负的电子亲合势 薄琪取向生长的机理进行了研究。 (NEA),因而h-BN在声表面波舒件、平板显示等领 关健词:氮化翻:取向生长;高沮诱导 城均很有应用潜力。由于这一系列优异特性，h-BN 成为一种很有墓础研究和应用价值的新型材料。目 1 引 言 前对 日N落膜的生长机制依然缺乏清晰的认识。特 别是对h-BN薄膜的取向生长机理尚待研究. 氮化WBNAM-V族共价化合物.它不仅具 有良好的电绝缘性和商的导热性能，而且还有很强 2 实 验 的化学称定性。在它的多种异构体中。六角抓化翩 (h-BN)是最常见和最容易制备，并且应用最广的BN 我们采用自行设计的实组装t- 感应辐合式 相。h-BN的结构与石三的结构相似如《图I所溯. 射频等离子体化学气相沉积系统(PECVD)在P型 si(IOOx4-sLE,cm附底上制备BN薄麟，反应气体为 .烷(B2H6)和氮气(N=).B八和N=分压比为班:卜 在沉积之前.利用甲苯、丙翻、乙醉和去离子水对 衬底进行产格的超声波浦洗。射频功率lww，衬底 沮度在500-1000.0之间变化群品的红外光谱用Men ChintekFrIR1020型红外邀仪侧得，利用Neno(ua 原子力显微镇观察了薄腆的AFM图象. 3 结果与讨论 田1h-BN ‘体给构示慈图 属于六角晶系.有平面其网层状晶体结构.沿c轴 h-BN具有两个红外徽光学振动旗式(拍)，一个 方向各层原子按冉扫冉月.··…的方式排列，它的晶格 对应子I380cm附近的六角平面内B-N伸缩振动， 常数为a=0.25043nm,c-0门“562mn.层内B.N原 另一个对应于 ，8oWi附近的六角平面间B-N-B育 子间的作用是很强的共价健，层间B.N原子间的 曲振动。图2是不间衬底沮度下沉积BN薄腆样品 作用是很弱的范德瓦尔斯健，因而h-BN沿c轴方向 的FTTR谱圈，从图中可以，出，样品的红外诱只出 键合力小，原子间距较大，层间易于滑动。由于h-BN 现h-BN的特征吸收蜂。说明侧备称腆由纯的