GaAs衬底的GaN蓝光二极管的工艺设计.pdfVIP

2000年10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄腆学术会议 GaAs衬底的GaN蓝光二极管的工艺设计 孙元平，杨辉，张书明 中〔国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心，100083) 摘要我们利用光学薄膜原理从理论上计算了利用金属薄膜作为反射膜，利用wB(wafer bonding)方法去掉GaA。衬底并将之替换成si衬底，从而提高么GaA。为衬底的立方相GaN 的出光效率的理论可行性。从计算中可以得出，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/Au 薄膜体系具有最佳的效果，采用这个方案可以使立方GaN的出光效率从理论上提高3倍左 右。 前言 最近几年，宽禁带GaN体系半导体材料由于其在蓝一绿光发光器件的应用中有着十分重 要的应用前景，引起了广大实验工作者的极大兴趣，对其物理性质以及实际应用进行了广 泛的研究。GaN材料按照其结构类型可以分为稳态的六方相和亚稳态的立方相两种结构。 其中，六方相GaN一般是在蓝宝石衬底上，以MOCVD生长方法进行生长的，目前已经实现 了蓝光LEDS的发光以及LD，的激射。但是由于蓝宝石极难解理，给后来的工艺制作带来了 很大的困难:而且由于蓝宝石衬底的价格比较昂贵，使其产品在价格上没有较大的优势。 这就促进了立方相GaN的研究发展。 立方相GN是在GaAs衬底上，以MOCVD方法生长的。由于GaA。衬底的易解理性，给 立方相GaN的后工艺制作带来了很大的方便。而且由于GaAs衬底的价格比较便宜，使以立 方GaN为基片的产品具有了价格优势，具有较强的竞争性。目前，中国科学院半导体研究 所的杨辉研究员领导的小组已经完成了立方相GaN的发光二极管研制，正在进一步进行下 一步的研究工作。 但是，由于GaA。衬底对可见光有着较强的吸收，使得立方相GaN的二极管的出光效率 极低，大大限制了器件向实际应用方向的发展。针对于此，人们进行了许多研究，其中较 为常用的方法是利用 。BR的方法提高二极管的出光效率。但是这种方法只是对于垂直人射 的光具有较高的反射率，而对于斜入射的光则没有太大的效果。于是我们考虑采用金属作 为镜面，提高反射效率，增加出光率。 基于这种考虑，我们利用光学薄膜的原理，针对于实际的晶片结构，进行了计算模拟， 给出了各种金属薄膜的理1创十算结果，对于实际的工艺制作过程给予了理论上的指导。 no 理论模型 如右图所示，为一个多层薄膜系统。在这个 N,,d, 膜系中，光的人射膜是介质膜。其折射率是一个 实数。在中间的几层薄膜为吸收膜，如金属膜、 半导体薄膜等，其折射率是一个复数，可以表示 成为:N;二n、一7kt+最后的一层或者为介质膜， 或者为吸收膜，在这里我们先假设为介质膜，在 Nk,dk 吸收膜的情况下只斋将之替换成复折射率即可。 nk+1 2以刃年01月 ·广西.北海 第七届全国固体薄腆学术会议 利用薄膜的干涉矩阵方法，这个薄膜系统的干涉矩阵可以表示成: jsnis，/瓦 ]:[一陇念 ocs6，班。十:.} 其中，sr表示位相厚度， r一‘譬N，r一‘反=譬(，·一，k!”r一欢一一’“j”‘ 所以， 一，一‘告[(，·+“一j)“]一告e[(。’+一05卜+，，‘e(扩一’“)Sni1一‘ nsi石.=生el(.“+e’)‘5、。一e(，一“e“’)ocss』=、+ts， Zk、 式中的元是修正导纳，对于5偏振和p偏振来说，可以分别表示为: 元=n(，一kj)『ocs民 对于5偏振 元=(n，一jkr)/ocs百， 对于P偏