NiONiFe间交换偏置作用的研究.pdfVIP

NiOINiFe间交换偏置作用的研究 染春林’，张子宜:，膝 坟3，于广华3，朱逢吾，，赖武彦 ，‘肖纪美3 (1.中国科学院半导体研究所.半导体科学实验室北京100083;2.长春市环境保护研究所; 3.北京科技大学材料物理系;4.中国科学院物理研究肺 摘 要:本文利用劝拉城射法对NiOINiFc间的史换 玻确基片上依次镀膜为ThMiM iFcMa，木底弃空 偏3作用进行了研究.通过一系列工艺参欲的改史， 优于4X10Pa,稚射时妞气压为 0.5Pa.橄射时羞片 并结合 XPS及XRD分析，其文换偏I作用可以达 有水冷，并且在基片上加有2犯XSOAIM的夕日桩场. 到110XBOA/m,基本满几自旋阅器件制备的委求. 以使NiFt层感生出一个易磁化方向。NiO的粗备是 关锐词:NiGINiFes交换偏ti作用 在Ar和乌的混合气体中反应派射制得:Ar和q的 比例由气体流t计控制，同时参考气压计。班滞回 1 引 言 线用振动样品磁强计侧得，应用光电子能谱仪伏PS) 分析了NiO中Ni.O离子的价态.利用x射线衍射 巨磁电阻自旋闷结构多层腆，由于其较高的磁 (XRD)对NOi 薄膜进行了徽结构的研究。 场灵敏度和弱磁场下良好的线性响应，使其成为新 一代硬盘读头的主要选择。目前.用作自旋阅钉扎 3结果与讨论 层的材料有FeMn.NMn,CrMnNiO等。其中， FeMn是研究得很多的一种材料，这主妥是由于其钉 3.1混合气体Ar和仇的比例的影晌 扎场较大，第一个自旋阀的钉扎场约在250XSOAIm 图1给出了交换偏场与Arl0,比例的关系曲线， 以上，目前这种材料的钉扎场已能达到400XSOAlm 们 侧，2.，脚uy目”姆口喇r曰Yl侧奋而) 劝 左右.但是，FeMn层的缺点是抗大气腐蚀性能差， 8 其钉扎作用的截止沮度较低 (约 IS00C).因此它在 胜 应用的过程中必然要遇到困难.有必要选择其他材 夏 吕 料作为钉扎层。相对于Femn而言，NiO的化学往 芝 J 占 定性很高，因而环境称定性好.即抗腐蚀性能强. 研究表明NiO在班=7的环境中。其成蚀率可以忽 略，这一点对于磁头的制作过程很有利，而Fchb o2f 的屁蚀串约为O.1hm1Ml;另外.NiO有较高的截止 沮度(2300C);由于Ni0电阻率很大.其产生的分流作 圈1交换偏场H.与Ar/03比例的关系，(玻封气压 用可以忽略 而对于金月反铁磁层，由于其分流作 为0.57Fa) 用至少损失】G%的信号物出。 样品结构为基片W 2yNi0}50)INIFe(7ytb(9},括号 本文主要研究了NiO对NiFe薄膜的钉扎作用 中的数字表示峨厚。单位为俪 。抽射时A