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GaN生长中的等离子体光谱研究 顾彪 徐茵肇莹秦福文 大连理工大学电磁工程系 116023 系材料是用于短波光电器件和高功率电子器件的宽直接带隙半导体材料，具 氮化稼 (GaN) 近年来在材料生长和器件应用上取得了突破性进展。超高亮度发光二极管 有广阔的应用前景. 有巨大的应用需求和广阔市场的GaN基蓝光激光二极管(LD)，目前在国际上 (LED)己商品化， 己成为光电子领域的一个研究热点，GaN基LD低功率运行寿命达到七千小时Cpl。上述成果都是 在采用MOM 技术于蓝宝石衬底上高温 01000C*)生长的六方GaN系材料基础上获得的.但其 生长温度高 (1000C),高温生长会引起一些弊端 高温生长引起的氮空位造成高背景电子浓 度，而且只能生长六方GaN。六方晶的不可解理性使 LD谐振腔面的制作工艺夏杂，难以产业化. 生长在III-V族半导体GaAs衬底上可解理的立方GaN系材料，无疑是制备短波 LD更理想的材 料。从掺杂及发光品质看，对于蓝一绿光LD，立方GaN材料有其突出的潜在的优势. 立方 GaN一般是在低温 ((800C)下生长的。低温生长的关键是解决活性氮源 .一些低的 裂解温度的氛源如联氨往往有毒.我们在国内首次提出并采用了ECR-PAMOCVD可控活化低温外 延技术。以腔攘合型ECR源提供高活化氮源，生长出了纯立方GaN单晶膜X21 本文通过发射光谱对GaN生长中的ECR微波等离子体化学活性，各有关活性粒子以及它们与 气压、功率等运行参数之间的相关性进行了研究，为选择GaN生长的工艺参数提供依据。发射光 谱非浸润性使其成为一个理想实时监测手段。通过发射光谱对作为加工工具的ECR等离子体特 性，特别是对PA.MOCVD法生长Ga\的等离子体化学活性进行研究的报导尚不多见。一些作者%u 分子束外延生长6aN膜0.通过发射光谱研究其等离子体源中活性氮的产生. 2.实脸 如所述，本实验室采用ECR-PAMOCVD低温外延技术.在一个具有腔拐合一磁多极型ECR等 离子体si的半导体加工装置上CU进行GaN薄膜生长研究.我们用氮ECR等离子体提供高活化祖 源 以三甲基ti (TMG)为稼(Ga)源.其生长中首先对己作过化学清洗的GaAs衬底在几百度恒 温下原位地用氢 (H2)等离子体清洗掉表面氧化物。继而，用氮等离子体氮化:接着在低温下 生长缓冲层:然后升温至约600-700℃恒温生长GaN膜，在关断TMG后.样品降温并维持氮单 电致分钟作后处理，井降温至室会. 如所述，GaN膜制备的整个过程都是在ECR等离子体氛围中，利用等离子体活化作用在较低 温度下实现的。实验m我们采用了以GDS50-2光栅双单色仪分光，用石英光纤作光传输，以光 电倍增管作光电转换与放大，以486PC机为主体构成的自动光栅扫描及数据采集与处理的光谱 实时监m系统，分别对氢等离子体 氮等离子体及其掺少量氢等的发射光谱进行了测量，并研 ‘ 究了它们与工艺参数的相关性，其结果示于1-5 实验结果与讨论 1氢等离子体发射光谱 GaN生长前 必须祛除GaAs衬底表面的约IOA氧化层 (Ga,O,和As,O等).在常规方法中 所采用的热处理往往因在高温下砷 (As)的挥发造成衬底损伤。本实验室在较低温度下用氢等 离子体M洗GaAs衬底.氢 自由荃(H)对祛除取化物起了决定性作用.反应过程如下所示 4H+9.y03、2H201.T-002 (I、 2sH，A,20 、xH,OT，Asz仔As4)T (2) 图1为典型的氢(H)放电清洗条件下等离T-体发射光谱，如图所示，在4000-8000A光 谱范围