辐射致折射率变化用于MeV级脉冲辐射探测的初步研究.PDFVIP

辐射致折射率变化用于MeV级脉冲辐射探测的初步研究 彭博栋 宋岩 盛亮 王培伟 黑东炜 赵军 李阳 张美 李奎念 ResearchonMeVpulsedradiationdetectionbasedonrefractive index modulaiton PengBo-Dong SongYan ShengLiang WangPei-Wei HeiDong-Wei ZhaoJun LiYang Zhang Mei LiKui-Nian 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,157801(2016) DOI: 10.7498/aps.65.157801 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.157801 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I15 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Ge-As-S硫系玻璃的结构与性能调控 TailoringstructureandpropertyofGe-As-Schalcogenideglass 物理学报.2016,65(12): 127801 /10.7498/aps.65.127801 自准直法测GdTaO 晶体折射率 MeasurementofrefractiveindicesofGdTaO crystalbythe auto-collimationmethod 物理学报.2016,65(8): 087801 /10.7498/aps.65.087801 基于多角度偏振载荷数据的中国典型地物偏振特性研究 Polarized properties of typical surface types over China based on the multi-angular polarized remote sensingmeasurements 物理学报.2015,64(22): 227801 /10.7498/aps.64.227801 Ba(Mg Nb )O 电子结构第一性原理计算及光学性能研究 First-principlestudyofelectronicstructureandopticalproperties of Ba(MgNb )O 物理学报.2015,64(21): 217801 /10.7498/aps.64.217801 基于介质环形柱结构的二维光子晶体中Dirac点的实现 PhotonicDiracpointrealizedintwodimensionalannular photonic crystals 物理学报.2015,64(14): 147802 /10.7498/aps.64.147802 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 15 (2016) 157801 辐射致折射率变化用于MeV级脉冲辐射探测的 初步研究 彭博栋 宋岩 盛亮 王培伟 黑东炜 赵军 李阳 张美 李奎念 (西北核技术研究所, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024) ( 2016 年2 月10 日收到; 2016 年5 月19 日收到修改稿) MeV 级脉冲辐射的高时间分辨测量是惯性约束核聚变诊断领域迫切需要解决的难题, 国际上尚无成熟的 解决方案. 利用脉冲辐射对半导体折射率的超快调制效应, 有望建立新的解决方案. 为研究体材料半导体折 射率对MeV 级脉冲辐射的响应规律, 分析了系统输出与入射辐射强度的对应关系, 分析了基于半导体折射率 变化测量MeV 级脉冲辐射系统的时间分辨的影响因素. 基于自由载流子折射率调制原理, 建立了半导体材料 在MeV 级脉冲辐射作用下折射率调制测量系统, 整个系统的时间分辨 ns. 在最大能量为0.2 MeV 的电子 束和X 射线束轰击下, 本征GaAs 折射率恢复时间约30 ns, 比可见光激发下要长, 分析其原因是高能激发下 GaAs 内部陷阱参与了载流子复合过程. X 射线光子束轰击下, 折射率建立时间比电子束轰