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晶体硅太阳电池及材料．67．
太阳电池用多晶硅中的氧沉淀对
电池性能的影响
孙海知1刘彩池1张光春2郝秋艳1王立建1施正荣2
1河北工业大学信息功能材料研究所天津300130
2尚德太阳能电力有限公司江苏无锡214028
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【摘要】．氧是太阳电池用铸造多晶硅的主要杂质。本文通过傅立叶红外吸收光谱，准稳
态光电导衰减少子寿命测试仪和太阳电池测试仪研究了硅衬底中的氧沉淀对电
池性能的影响。在对硅片做了不同温度和步骤的退火后，发现铸造多晶硅退火
特性与直拉单晶硅有很大的不同。在多晶硅晶粒内部氧沉淀很少，大部分氧沉
淀都聚集在晶界处。750。C～9500C中温退火对电池性能影响很小，10500C高
温退火后，电池性能急剧下降。650。C低温预处理对电池性能降低的影响不大。
【关键词】 太阳电池氧沉淀热处理多晶硅 ‘‘
EffectOfThe InSolar SiliconOnThe
OxygenPrecipitatesMulticrystal
Solar
Of Cells
Efficiency
SunHaizhilLiuCaichil Hao Shi
ZhangGuangchun2 LijianlZhengron92
QiuyanlWang
‘Institute
2
Sun·TechPower
Co．，Ltd，Wuxi
Jiangsu，214028
0’引言
太阳能电池作为一种清洁无污染的能源，发展前景非常广阔。晶体硅太阳电池从技术和
工艺上都是最为成熟的，产量也是最大的。相对于单晶硅，铸造多晶硅具有更高的性能价格
比，因而从2002年起铸造多晶硅逐渐成为太阳电池的主要原料。当前多晶硅太阳电池效率的
最高水平达到19．8％【l】。而产业化的效率一般在15％左右，明显低于单晶硅太阳电池。晶界、
位错及晶粒内的微缺陷被认为是降低铸造多晶硅太阳电池转换效率的主要原因[2】。很多研究
表明，洁净的晶界或位错具有极弱的复合特性，一但其他杂质缀饰这些缺陷后，晶界或位错
等缺陷的复合特性增强，从而成为少数载流子的复合中JL,[3】。氧是铸造多晶硅中的主要杂质。
对硅材料和器件的电学和机械性能均有影响，和直拉单晶硅相比，铸造多晶硅有大量高密度
的位错和晶界等缺陷。氧容易在晶界和位错处产生沉淀，并呈现不同的电学性能，如果这些
氧沉淀比较大，而穿过电荷区，会对硅衬底的体内复合和P—n结特性产生影响【4】。．
·68· 中国太阳能光伏进展
本文主要是通过对多晶硅片做不同条件的热处理，来观测氧沉淀对电池性能的影响。
1实，验
1．1样片
试验中所用样片为德国拜耳铸造多晶硅片，P型，厚度为300gm，电阻率为O．5～
3Q·cm。为了尽量减少其他杂质含量的不同对试验结果产生影响，本实验中取相邻硅片作
为样品。
1．2试验步骤
050。C3h退火处理。
单步退火：在N2气氛下分别对硅片进行7500C、8500C，950。C、1
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