金属学第三章3晶体缺陷.ppt

第3节 面缺陷－表面与界面 研究表面与界面的意义： 界面构成晶态固体组织的重要组成部分, 是二维晶体缺陷。 结构不同于晶体内部，因而有很多重要的不同于晶体内部的性质，影响晶体的一系列物理化学过程及其应用。 现代材料学科中一个活跃的课题。 一、面缺陷的分类及其晶体构造 面缺陷：原子偏离理想状态的区域在二维方向上都较大，而在第三维方向上很小的晶体缺陷。包括晶界、相界、外表面、层错等等。 表面与界面的理论是非常重要的基础理论之一，而且具有广泛的应用价值。 (一)晶界 1.小角度晶界 扭转小角度晶界 2.大角度晶界 相邻晶粒的位向差大于10?时的晶界为大角度晶界。 这种晶界的结构不能用位错来描述。 关于大角度晶界的结构模型已有多年的研究，但始终未得到最适当的结构模型。 过冷液体模型 可解释晶界扩散速度比晶内快的事实。无法解释有些晶界扩散的各向异性以及晶界范围较窄，只有2～3个原子宽的现象。 葛庭燧对大角度晶界提出过无序群模型，认为大角度晶界中有排列比较整齐的区域，也有较为疏松的区域。疏松区域被称为无序群，类似非晶态，有较大的流动性。 这个模型与莫特模型有异曲同工之处，葛庭燧注重的是无序群，即莫特模型中的“海”；而莫特关注的重点则是“岛”。 晶界重合位置点阵模型 3.亚晶界 位向差小于1?的小晶粒。 亚晶粒的平均尺寸在1?m左右。 亚晶界能量比晶内的高，也是溶质原子优先聚集和第二相优先析出的地方；可以阻碍位错的运动。亚晶粒的细化将使得金属的强度提高。 4.共格孪晶界及层错 (二)相界 1.共格界面 两相在某种晶面上具有相同的原子排列方式及相近的原子间距时，两相的晶格在界面上能够相互衔接，一一对应，这种界面称为共格界面。存在着一定的晶格畸变。 2.半共格界面 3. 非共格界面 两相点阵类型或点阵参数具有很大差别时易出现。 界面上的晶格畸变很小，但界面能较高。 (三)晶体表面 材料表面在材料的服役和制备过程中起着举足轻重的作用，如催化、腐蚀、磨损、吸附等现象只发生在表面上；光－电、声－电、压－电转换现象都与表面密不可分；此外，表面在晶体生长中起着决定性的作用。 1.理想表面 理想表面是一种理论 结构完整的二维点阵平面。 理想表面是指忽略晶体内部的周期势场中断的影响，也忽略表面原子的热运动以及出现的缺陷和扩散现象，又忽略外界环境的作用，即将表面视为暴露在外的晶面。 2.理想表面的晶体结构 3. 实际晶体的表面结构特征 表面重构 严格意义上的理想表面是不存在的。形成晶体表面时悬空键的存在，使得理想表面处于高能的不稳定状态。为了降低表面自由能，表面原子的位置必然发生变化。这种变化的结果，使得在平行于表面的平面内，表面原子的平移对称性与理想表面显著不同，这种表面结构的变化称为表面重构(surface reconstruction)。 表面驰豫 晶体的三维周期性在表面处中断，表面上原子的配位情况发生了变化，并且表面原子附近的电荷分布也有改变，使表面原子所在的力场与体内原子不同。因此，表面上的原子会发生相对正常位置的上或下的位移，以降低体系的能量。表面原子的这种位移称为表面驰豫(surface relaxation)。 表面台阶结构 吸附表面 与体相原子不同，固体表面的原子有一部分键被切断，以悬空键(dangling bonds)的形式存在，使表面具有较高的自由能。为降低表面自由能，除了表面原子的几何位置发生变化(表面重构和表面驰豫)以外，还通过吸附外来原子或分子来降低表面自由能，以使表面处于更稳定的状态。 物理吸附、化学吸附 二、界面能及其对组织形貌的影响 晶界能=长程应变场的弹性能+晶界狭小区域内原子相互作用的核心能+化学键能 小角度晶界、共格或半共格界面上以弹性能为主，与取向差是线性关系； 大角度界面和非共格界面上以化学能为主，晶界能和取向差关系不大。 共格孪晶界和层错则无畸变能，只有很小的化学能。 界面能的高低对界面的性质有极其重要的影响。 (一)小角度晶界的界面能 (二)大角度晶界的界面能 大角度界面能中化学能占主导地位。由于大角度晶界的结构模型还不完善，因此还不能通过理论计算界面能，只能用实验测定。大角度晶界的界面能大体上是一常数，不随相邻晶粒的位向差而变。 表面能的特点： 晶体的表面能具有各向异性; 一般情况下，原子密度最大的面表面能最低; 低